米Intelは18日(現地時間)、50億ドル超を投資し、米国アリゾナ州に半導体製造施設「Fab42」を新設する計画を発表した。同施設では300mmウェハを用い、14nmプロセスのトランジスタを製造できる最先端プロセス技術を稼動させる計画だ。建設は本年半ばより着工し、2013年に完成する予定。

今回の計画は、バラク・オバマ米国大統領が米国オレゴン州のIntelの施設に訪問した際に、Intel社長 兼 CEOのポール・オッテリーニが発表したもの。Fab42の建設により、アリゾナ州に、数千人規模の建設関連の雇用とハイテク関連の常時雇用を創出する見込みだという。