米Intelと米Micronは17日(現地時間)、25nmプロセス技術を採用し、64Gbit容量を達成した3bit/セルのNAND型フラッシュメモリのサンプル出荷を開始したと発表した。2010年内の量産出荷を予定している。

発表されたTLC NANDのダイ写真

従来の1メモリ・セルあたり1bit(SLC)や2bit(マルチレベル・セル)の情報ではなく、3bitの情報を記憶する"TLC"(Triple Level Cell)を実現している。今回の製品のダイサイズは131平方ミリメートルで、現在の市場で最小という従来の25nm採用MLC製品と比較した場合、同容量では20%以上の小型化となる。