IntelとMicron Technologyは4月14日(米国時間)、両社の合弁会社IM Flash Technologiesが20nmプロセスを採用したNAND型フラッシュメモリを開発したことを発表した。

Micronなどが提供する8GB品MLC NAND型フラッシュメモリのダイサイズ比較

同プロセスを採用した8GBの多値セル(MLC)NAND型フラッシュメモリは、ダイサイズ118mm2を実現。従来品である25nmプロセス採用8GB品比で、ボード面積は30～40%の削減が可能になるという(パッケージの種類により変化)。

ボード面積の縮小により、スマートフォンやタブレットメーカーは、従来と同等の機器サイズながらバッテリの大型化や画面の拡大、新機能などを搭載することが可能になるという。

また、25nmプロセス品と同様の性能と耐久性を維持しつつ、プロセスの微細化によりファブの生産性は従来技術比で約50%向上(GB換算)すると両社では説明している。

なお、20nmプロセスを採用した8GB品はすでにサンプル出荷を開始し、2011年後半期に量産出荷を予定している。また、併せて両社は、米国の郵便切手より小さい、最大128GBの容量のSSDを設計できる16GB製品のサンプル出荷も予定しているとしている。