ソニーは5月16日、裏面照射型CMOSイメージセンサーの発明により内閣総理大臣発明賞を受賞したと発表した。公益社団法人 発明協会主催の平成25年度全国発明表彰で表彰される。同賞は、科学技術の振興や産業経済の発展に大きく貢献している発明で、恩賜発明賞についで優秀とされた発明に贈られる賞。

裏面照射型CMOSイメージセンサーの構造と製造方法の基本特許を発明したもので、今回の受賞は次世代CMOSイメージセンサー技術の確立と発展に貢献したことが評価された。

裏面照射型CMOSの構造イメージ

同発明は、従来の表面照射型では入射光の一部を遮っていた配線層をシリコン基板の下部に配置。シリコン基板の裏面側から光を照射する構造にすると共に、シリコン基板内にあるフォトダイオードの上部面積を下部よりも広く形成したという。これにより、大幅な光学特性の向上を果たしたCMOSイメージセンサーとなっている。

裏面照射型CMOSイメージセンサーは、デジタルビデオカメラ、デジタルスチールカメラやスマートフォンなど、様々な種類のカメラに搭載されている。ソニーは、今後も更なる性能の向上を図り、デジタルイメージングの高画質化へ貢献していくとしている。