NXP、モバイル機器向けに超小型化した低VFショットキーダイオードを発表

NXP Semiconductorsは4月4日、モバイル機器向けに1006サイズまで小型化した低VFショットキーダイオード「PMEG2005BELD」を発表した。

同製品は、1.0mm×0.6mm×0.37mmの超小型SMDリードレス・プラスチックパッケージDFN1006D-2(SOD882D)を採用。超小型サイズでありながら、0.5Aの順方向電流の電圧降下を最高390mVまでに抑えられ、低電圧降下および10Vの逆方向電圧でも50μAの低逆電流の性能を有する。従来比で20%電力効率を向上させており、スマートフォンやタブレットなど、高密度実装が用いられ、消費電力の低減が求められているモバイル機器に適しているという。

実装においては、0.37mmと薄型のため、極小PCB積層スペースに高密度実装できる他、独自のめっき処理が施されたはんだ付け可能なサイドパッドが装着されており、はんだ接合部分を目視できる。このサイドパッドによって部品の傾きを軽減することにより基板との密着性が増すために、せん断力に対する強度を上げることに繋がるとしている。

なお、同製品はすでに量産に入っており、販売を開始している。