エルピーダメモリは9月29日、30nmプロセスを用いた2GビットDDR3 SDRAMを開発したことを発表した。2010年12月よりサンプル出荷を開始し、同12月中に量産も開始することを予定している。
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エルピーダが開発した30nmプロセス世代の2GビットDDR3 SDRAM |
同メモリは、30nmレベルの製造プロセスを用いることで、ウェハあたりのチップ取得数は、同社従来品である40nmプロセス品比で約45%増加している。また、微細化にともない増加する製造コストの抑制を目指したプロセス設計により、高いコスト競争力を実現していると同社では説明している。
さらに性能面では、2011年以降に本格採用が見込まれるDDR3-1866や、低電圧(1.35V駆動)かつ高速なDDR3L-1600に対応できる特性を実現しているほか、消費電力も同社40nmプロセス品比で動作時約15%減、待機時約10%減を達成している。
なお、今回開発された30nmプロセス技術は、今後、同社が注力するモバイルDRAMにも適用を予定しているほか、TSV(Si貫通電極)を用いた携帯電話、デジタルスチルカメラ、PC用DRAMなどの1チップメモリソリューションへの展開も予定している。
