ARMとGLOBALFOUNDRIES(GF)は、Mobile World Congress 2010(MWC 2010)において、次世代のワイヤレス製品およびワイヤレス・アプリケーションに対応するSoCプラットフォーム・テクノロジーの詳細を発表した。

両社はGFのモバイルおよびコンシューマ・アプリケーション向けプロセス「28nm SLP(Super low Power)」、および最大限の性能を必要とするアプリケーション向けプロセス「28nm HP(High Performance)」という2つのプロセス・バリアントにおいて協力することとなり、これにより開発されるSoC製造プラットフォームは、従来の40/45nmプロセスと比べて処理性能を40%向上、消費電力を30%削減、スタンバイ・電力寿命を100%延長すると予想されている。

同プラットフォームは、プロセッサコアとして「ARM Cortex-A9」および、それに最適化されたARMフィジカルIP、GFの28nmゲートファーストHigh-Kメタルゲート(HKMG)プロセスをベースとしている。この協業によりスマートフォン、スマートブック、タブレットなどの組み込み機器メーカーは、設計や製造の複雑化に対応し、短TAT化を実現することが可能になると両社では見込んでいる。

なお、GFは、これらの次世代プロセス採用SoCの生産を2010年下半期に独ドレスデンにある300mmウェハ対応工場「Fab 1」で開始する予定だ。