ニコンは5月8日、同社の半導体露光装置史上最高の生産性を実現したとうたうミドルクリティカルレイヤ向けArF液浸露光装置(スキャナ)「NSR-S625E」を2024年2月より発売することを発表した。

  • ニコンのArF液浸スキャナ「NSR-S625E」

    ニコンのArF液浸スキャナ「NSR-S625E」

同露光装置は、同社のArF液浸露光装置「NSR-S622D」の後継機として位置付けられたモデルで、スループットを従来機比約1.3倍向上させたほか、稼働安定性の改善ならびに露光装置のスループットを低下させることなく、高速かつ高精度にウェハ計測を行い、グリッドエラーの補正を可能とするシステム「inline Alignment Station(iAS)」を搭載することで、さまざまな半導体の効率的な生産を可能にしたという。

これによりスループットは1時間あたり280枚以上(96ショット時)、重ね合わせ精度は同一号機間で1.7nm以下、同一機種間で2.5nm以下を実現するとしている。

なお同社では今後も、顧客のニーズに最適な露光装置を提供することで、顧客の付加価値の高い半導体製造に貢献していくとしている。