エルピーダメモリは11月26日、50nmプロセスを採用したDDR3 SDRAMの開発を完了したことを発表した。量産開始は2009年第1四半期(1-3月)を予定。

同プロセスでは、液浸ArF露光技術およびCu配線技術を採用しており、チップサイズは40mm2以下を実現している。DDR3標準の電源電圧1.5Vに加え、1.35Vおよび1.2Vでの動作にも対応し、70nmプロセス品と比べ消費電力は最大50%低減している。

データレートは800M/1066M/1333M/1600M/1866M/2133M/2500Mbpsに対応する。

なお、同社では、同プロセスを今後は携帯電話向けMobile RAMなどへ適用を進めていくとしている。