マイナビニュース | テクノロジー | 次世代半導体技術 | ヘッドライン(2015)(1ページ目)

ヘッドライン

2015年12月25日(金)

東北大、スピン操作によりディラック電子に巨大な質量を与えることに成功

東北大学(東北大)は12月24日、鉄とタングステンを接合することによってその界面にディラック電子を発生させ、同電子に巨大な質量を与えることに成功したと発表した。

[11:20 12/25]

2015年12月22日(火)

透明なのに、逆からみると不透明? 光の「一方向透明現象」を発見 - 東大

東京大学は12月22日、メタホウ酸銅という青色の結晶が、ある向きに進む赤外光に対して透明なのに対して、逆向きに進む同じ波長の光に対しては不透明であることを発見したと発表した。

[16:43 12/22]

2015年12月18日(金)

産総研、極薄コバルト層の開発で不揮発磁気メモリーの記憶安定性を2倍に

産業技術総合研究所(産総研)は12月17日、次世代のメモリーデバイスであるスピントルク書込型磁気ランダムアクセスメモリー(STT-MRAM)に用いられる垂直磁化トンネル磁気抵抗(TMR)素子の記憶安定性を従来の2倍に向上させたと発表した。

[11:56 12/18]

らせん構造磁石を用いて多値的なデバイス動作が可能に - 大阪府立大など

大阪府立大学は12月17日、らせん結晶構造を持つ磁石のひねりの数を制御・検出することに成功したと発表した。

[11:21 12/18]

2015年12月15日(火)

九大、高品質半導体性単層カーボンナノチューブを精製できるポリマーを開発

九州大学(九大)は12月14日、カイラリティ選択的で、長く欠陥の少ない高品質な半導体性単層カーボンナノチューブ精製を可能にする脱着型可溶化剤を開発したと発表した。

[15:05 12/15]

2015年12月14日(月)

東北大、"ポストグラフェン"となるチタン・セレン原子層半導体の作製に成功

東北大学(東北大)は12月11日、グラフェンを超える電子デバイスへの応用が期待されているチタン・セレン原子層超薄膜の作製に成功したと発表した。

[08:00 12/14]

2015年12月11日(金)

imecが7nmの製造プロセス開発でCoventorと協業 - IEDMでは23件の新技術を発表

ベルギーの半導体・ナノテクノロジー研究機関imecと 米国の半導体プロセス開発ツール・サプライヤ「Coventor」は12月7日(米国時間)、両社の共同開発チームが、すべての7nmデバイス開発に、Coventerの半導体プロセスモデリング・プラットフォームを利用し、開発期間の短縮ならびに試作コスト削減を目指した取り組みを進めると発表した。

[20:10 12/11]

日立、データ処理能力を向上するセラミックパッケージ基板を開発

日立製作所と日立金属は12月11日、配線幅、配線間隔がそれぞれ2µmと微細な配線層を形成した低温同時焼成セラミック(Low Temperature Co-fired Ceramic:LTCC)パッケージ基板を開発したと発表した。

[18:28 12/11]

京大、"座布団型"の有機半導体材料で太陽電池を低コスト・高効率化

京都大学は12月11日、独自に設計した座布団型構造をもつ有機半導体材料を開発し、これをp型バッファ層に用いることでペロブスカイト太陽電池の光電変換効率を向上させることに成功したと発表した。

[17:34 12/11]

2015年12月09日(水)

300mmウエハの超薄化においてDRAMの限界厚さは4µm前後 - 東工大など

東京工業大学(東工大)は12月9日、直径300mmのシリコンウエハを2µm級に超薄化することに成功し、この厚さにおいてはDRAMの特性が劣化する現象を初めて明らかにしたと発表した。

[17:54 12/9]

2015年12月07日(月)

産総研、半導体チップの偽造を防ぐ「ICの指紋」を実現する技術を開発

産業技術総合研究所(産総研)は12月7日、半導体ICチップの偽造を防ぐ「ICの指紋」を低コスト、高信頼性、コンパクトに実現できる素子とそれを用いた回路技術を開発したと発表した。

[12:48 12/7]

2015年12月03日(木)

NIMS、オスミウム酸化物で史上最強の結合を観測

物質・材料研究機構(NIMS)は12月3日、同機構が合成したオスミウム酸化物が、観測史上最強のスピン-フォノン結合を示すことを明らかにしたと発表した。

[18:23 12/3]

理研など、有機薄膜太陽電池の光エネルギー損失を無機太陽電池並みまで低減

科学技術振興機構(JST)と理化学研究所(理研)および京都大学(京大)は12月2日、新たに開発した半導体ポリマーを用いることで、有機薄膜太陽電池の光エネルギー損失を無機太陽電池並みまで低減することに成功したと発表した。

[15:01 12/3]

"スマートリビング"目指して研究を集中 - imecがTechnology Forumを開催 第3回 米国に次いで多い日本企業からの収入

imecは現在、ASML、AMAT、Lam Research、東京エレクトロンなとをはじめとした装置・材料サプライヤ61社や先端半導体企業8社などと研究協業ネットワークを構築し、グローバルな規模で研究を行っている。imecの研究契約収入のうち、22%を日本企業からの収入で占めており、米国の31%に次いで多く、imecのおひざ元の欧州からの収入よりも多い。

[08:00 12/3]

2015年12月02日(水)

"スマートリビング"目指して研究を集中 - imecがTechnology Forumを開催 第2回 7~5nmプロセス対応クリーンルームが2016年2月に竣工

imecでは、ナノエレクトロニクスの医学やライフサイエンス分野への応用にも取り組んでいる。すでにストレスセンサやセルソーター(図6)などの開発にも手掛けている。ナノエレクトロニクスに基づいてシリコン基板に形成したセルソ―タ―は毎秒2000万画像を処理して細胞を分類できる。

[08:00 12/2]

2015年12月01日(火)

東大、磁場を変化させることで磁性絶縁体の金属-絶縁体転移を制御

東京大学と科学技術振興機構(JST)は12月1日、磁性絶縁体の金属-絶縁体転移が微小磁場でも制御可能であることを示したと発表した。

[15:49 12/1]

"スマートリビング"目指して研究を集中 - imecがTechnology Forumを開催 第1回 imecが提唱する"直観的"なIoTとは?

ベルギーの独立系半導体・ナノテクノロジ―研究機関imecが11月9日、東京で年次事業説明会「imec Technology Forum 2015 Japan」を開催した。imecは、毎年、この種の催しを、ベルギー、米国、韓国、台湾でも行っており、日本での開催は今年で15回を迎えた。今回のメインテーマは「明日を築く人々のために - スマートリビングを目指して」となっていた。

[08:00 12/1]

2015年11月20日(金)

ローム、光度バラツキが従来比1/4の高光度チップLEDを開発

ロームは11月20日、産業機器、民生機器の表示パネルに最適な単ランク対応1608サイズの高光度チップLED「SML-D15シリーズ」を開発したと発表した。

[09:55 11/20]

2015年11月10日(火)

Altera、HBM2 DRAMとFPGAを統合した「ヘテロジニアス SiPデバイス」を発表

Alteraは11月9日(米国時間)、SK HynixのHBM2スタック・メモリとハイエンドFPGA/SoC「Stratix 10」を統合した「ヘテロジニアス SiPデバイス(Stratix 10 DRAM SiP)」を発表した。

[13:11 11/10]

東大、プリントできる温度センサーを開発 - 温度計付き絆創膏などを実現

東京大学(東大)は11月9日、グラファイトを添加したアクリル系ポリマーを用いることで、高い感度と速い応答速度を両立したプリント可能なフレキシブル温度センサーの開発に成功したと発表した。

[08:30 11/10]

2015年11月06日(金)

東工大、リチウムイオン電池で超伝導-常伝導状態の制御に成功

東京工業大学(東工大)は11月6日、リチウムイオン電池の充電・放電原理を用いることにより、チタン酸リチウムの超伝導状態制御に成功したと発表した。

[19:30 11/6]

2015年11月05日(木)

5インチディスクで2TBを達成 - 東京理科大が大容量ホログラムメモリを開発

東京理科大学は11月4日、新開発の情報記録方式「3次元クロスシフト多重方式」を採用することで、5インチサイズのフォトポリマーディスクと、小型かつ簡易な光学系およびメカ機構により、2TBのホログラム多重記録を可能とするメモリ技術を開発したと発表した。

[08:00 11/5]

2015年11月04日(水)

日本ゼオン、SG法用いたカーボンナノチューブの量産工場が稼働開始

新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)などは11月4日、NEDOプロジェクトの成果をもとに産業技術総合研究所(産総研)が開発したスーパーグロース(SG)法を用いたカーボンナノチューブ(CNT)の量産工場を日本ゼオンが完成させ、稼働を開始したと発表した。

[17:33 11/4]

2015年10月30日(金)

理研など、磁性絶縁体中の磁壁が金属的性質を持つことを観測

理化学研究所(理研)は10月30日、絶縁性の高い磁性体「磁性絶縁体」において磁壁が金属的性質を持つことを、走査型マイクロ波インピーダンス顕微鏡を用いて観測することに成功したと発表した。

[16:58 10/30]

2015年10月28日(水)

AMATが超臨界流体を用いた次世代ウェハ乾燥技術を開示 - 半導体洗浄技術国際シンポジウム(後編)

今回の半導体洗浄技術国際シンポジウムで最も注目されたのは「ウェハ乾燥」のセッションである。先端の超微細プロセスを採用した半導体デバイス製造では、ウェハ洗浄に使用する薬液や純水の表面張力によりアスペクト比の高い超微細構造が倒壊する問題が、世界中の半導体製造現場で顕在化しているためである。

[09:30 10/28]

2015年10月27日(火)

AMATとA*STAR、シンガポールに先進半導体技術の共同研究開発施設を設置

Applied Materials(AMAT)は10月19日(シンガポール時間)、シンガポール科学技術研究庁(Agency for Science, Technology and Research:A*STAR)と共同でシンガポールに新たな研究開発施設を設置すると発表した。

[12:15 10/27]

III-V族など非シリコン基板の洗浄に脚光 - 半導体洗浄技術国際シンポジウム(前編)

ECS主催の第14回半導体洗浄科学技術国際シンポジウムが、アリゾナ州フェニックスで開催された。これは、半導体洗浄技術に特化したユニークな会議として、1989年以来、四半世紀に渡り隔年開催されている。世界中の洗浄技術研究者や製造現場のエンジニア、装置メーカーや薬液メーカーなど周辺産業の関係者が一堂に会して、最先端の半導体デバイス製造における洗浄技術について議論した。

[09:00 10/27]

2015年10月22日(木)

京大、電気から光への変換効率100%を達成できる有機EL材料を開発

京都大学(京大)は10月21日、100%の変換効率で電気を光に変換する有機エレクトロルミネッセンス(有機EL)材料を高性能化することに成功したと発表した。

[16:57 10/22]

NEDO、高電圧耐性と低損失性を併せ持つ次世代パワーデバイス材料を開発

新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)は10月21日、情報通信研究機構(NICT)や東京農工大学、タムラ製作所らで構成される研究チームの成果として、次世代パワーデバイス材料「酸化ガリウムエピウェハ」を開発したと発表した。

[08:00 10/22]

2015年09月25日(金)

ベルギーimec、太陽電池関連の研究成果をEU PVSEC 2015にて一気に19件発表

9月14-18日に独Hambergで「第31回 欧州太陽光発電ソーラーエネルギー講演・展示会(European PV Solar Energy Conference and Exhibition:EU PVSEC 2015)(図1)、が開催され、講演会には77カ国から2500名を越える関係者が参加した。そのうち、半数が太陽電池研究者、4割が関連技術者だった。

[16:27 9/25]

2015年09月10日(木)

NEC、書換可能なNB-FPGA向けLSI設計技術を開発 - 設計時間を1/10に短縮

NECは9月7日、同社の金属原子移動型スイッチ技術「NanoBridge(NB)」を応用した書き換え可能なLSI(NB-FPGA)向けに、性能を事前に予測することで、設計時間を1/10に短縮し、従来のFPGAと同等レベルの設計時間を実現することを可能とするLSI設計技術を開発したと発表した。

[18:03 9/10]

2015年09月09日(水)

3次元実装は日本で研究 - IBMが注力する脳型コンピュータチップ開発(後編)

IBMは世界中に12の研究施設があり、日本には東京基礎研究所がある。以前は、神奈川県大和にあったが、現在は東京都江東区豊洲に移転している。東京基礎研究所では、ビジネス・アナリティクス、インダストリー・ソリューションズ、ワークロード最適化システム、サービス品質、 障害者アクセシビリティ技術、および サイエンス&テクノロジーなどの研究が行われているが、サイエンス&テクノロジーの拠点は実は豊洲ではない。

[09:00 9/9]

2015年09月08日(火)

3次元実装は日本で研究 - IBMが注力する脳型コンピュータチップ開発(前編)

SEMI Japanが開催した会員向けイベント「SEMI Members Day 東京」にて日本アイ・ビー・エムのシニア・リサーチ・スタッフ・メンバーである山道新太郎氏が「コグニティブ・コンピューティングにむけたニューロモーフィック・デバイス」と題した講演を行った。現在、日本はこのニューロモーフィック・チップの3次元実装技術開発を担当しているという。

[09:00 9/8]

2015年09月07日(月)

東工大、半金属のビスマスが薄膜化によって半導体に変わることを実証

東京工業大学は9月4日、半金属であるビスマスを薄膜化すると、その電気的な性質を半導体に変えられることを実証したと発表した。

[10:51 9/7]

2015年08月14日(金)

ベルギーimecがGaN-on-Si開発を本格化 - GaNパワーデバイスの少量受託生産も開始

ベルギーの独立系半導体研究機関imecは8月12日(現地時間)、次世代の高効率・小型電力変換を可能にする200mmシリコン基板上のGaN(GaN-on-Si)エピタキシャル成長技術およびエンハンスメント型デバイスの研究開発を強化すると発表した。

[10:30 8/14]

2015年08月13日(木)

ヒールで踏んでも洗濯しても壊れない頑丈トランジスタ - 産総研が開発

産業技術総合研究所(産総研)は8月12日、単層カーボンナノチューブ(単層CNT)、ゴム、ゲルといった柔らかい炭素系材料だけで構成されるトランジスタを開発。ハイヒールで踏まれるという大きな圧力に対しても壊れずに特性を維持するなど、さまざまな負荷(伸縮、曲げ、ねじり、圧縮、衝撃)をかけても壊れないことを確認したとする。

[20:10 8/13]

2015年07月28日(火)

imecと蘭Holstが注力するフレキシブル薄膜エレクトロニクス - 16平方cmの薄膜ペロブスカイト太陽電池で変換効率11.9%を達成

ベルギーの半導体・エレクトロニクス研究機関imecは、2015年7月中旬、米国カリフォルニア州San Franciscoで開催された半導体製造装置・材料展示会「SEMICON WEST」の期間中に会場に隣接したホテルで「将来のスマートリビングのための材料とデバイスのイノベーション」をメインテーマに「imec Technology Forum(ITF)2015 USA」を開催し、その中で、スマートリビングの実現をめざして、オランダのエレクトロニクス応用研究機関Holst Centreと協業し、薄膜エレクトロニクスのIoTへの応用に力を入れていくことを明らかにした。

[09:00 7/28]

2015年07月22日(水)

Besiとimec、3次元IC向け高精度自動ナローピッチ・ボンディング技術を開発

オランダの半導体アセンブリ装置メーカーBesiとベルギーの半導体・エレクトロニクス研究機関imecは共同で熱圧着を用いて自動的にナローピッチdie-to-waferボンディングを行う技術を開発したと、米国カリフォルニア州サンフランシスコで開催された半導体製造装置・材料展示会「SEMICON WEST 2015」で発表した。2.5D、3D、および2.5D/3Dハイブリッド技術開発に道を拓くとしている。

[08:00 7/22]

2015年07月21日(火)

英国SPTSとベルギーimecが3次元ウェハ積層プロセスで提携

半導体装置メーカーSPTS Technologiesとベルギーimecは、米国カリフォルニア州サンフランシスコで開催されたSEMICON WESTにおいて、両社がTSVを用いたビア・ミドル・プロセス採用の3次元実装プロセスを共同開発していることを明らかにした。

[09:00 7/21]

2015年07月17日(金)

5nmプロセスノード以降の実現に向けて - imec、有機単分子膜の自己組織化による超多孔質low-k膜のシール手法を開発

ベルギーの半導体・エレクトロニクス研究機関imecは、7月14~16日に米国カリフォルニア州サンフランシススコで開催された半導体装置材料展示会「SEMICON WEST」において、次々世代プロセスとなる5nmおよびそれ以降の半導体ロジックデバイス製作に向けた多層配線の超多孔質low-k膜の新しいシール手法の基礎検討結果を発表した。

[12:18 7/17]

2015年07月10日(金)

産総研、単層CNTを電極材料に活用したマイクロキャパシタを開発

産業技術総合研究所(産総研)は7月7日、アルミ電解コンデンサと同等性能(作動電圧4V、静電容量30μF、充放電速度(緩和時定数)数ms)を実現しつつ、体積を1/1000に減らすことが可能な単層カーボンナノチューブ(CNT)集積化マイクロキャパシタを開発したと発表した。

[10:30 7/10]

理研など、電子回路の微細な電子の通り道で生じる磁化の測定に成功

理化学研究所(理研)と茨城大学は7月6日、半導体の電子回路に設けられた微細な電子の通り道である「くびれ」である「量子ポイントコンタクト」の微小な磁化の測定に成功したと発表した。

[10:30 7/10]

2015年07月07日(火)

ベルギーimecが次世代半導体デバイス・プロセスの方向を開示

ベルギーの独立系半導体・エレクトロニクス研究機関「imec」は、6月下旬にベルギーの首都Brusselsで年次研究計画発表イベント「imec Technology Forum2015」を開催し、そのなかで、半導体プロセス開発担当シニア・バイスプレジデントのAn Steegen氏(図1)が、「Internet of Things (IoT)のインフラストラクチャ」と題して、半導体デバイス・プロセスの今後の方向性について語った。

[13:53 7/7]

磁性絶縁体にパルス光を照射すると磁区の局所的操作が可能に - 理研

理化学研究所(理研)は7月7日、磁性絶縁体にパルス光を照射すると磁気弾性波が発生し、局所的に磁区を操作できることを発見したと発表した。

[11:53 7/7]

2015年06月30日(火)

東大、ナノワイヤ量子ドットレーザの室温動作に成功

東京大学(東大)は、ナノワイヤ量子ドットレーザの室温(300K)での動作に成功したと発表した。

[14:17 6/30]

2015年06月26日(金)

世界初、クロム酸化物が「ハーフメタル」であることを実験で確認 - 岡山大

岡山大学は6月25日、スピン偏極率がほぼ100%とされるクロム酸化物(CrO2)が低温でハーフメタルであること世界で初めて実験的に明らかにしたと発表した。

[11:00 6/26]

2015年06月25日(木)

東大、布地にプリント可能な高導電率の伸縮性導体を開発

東京大学(東大)は6月25日、1度のプリントだけで、布地に電子回路を形成できる高い伸縮性を有した導体を開発し、それを用いたテキスタイル型(布状)の筋電センサを作製することに成功したと発表した。

[18:37 6/25]

2015年06月22日(月)

慶応大、フォトリソプロセスを用いた高性能ナノ光共振器を開発

慶應義塾大学(慶応大)は、CMOS互換プロセスを用いて世界最高クラスの性能を実現したナノ光共振器を作製することに成功したと発表した。

[18:45 6/22]

2015年06月18日(木)

中央大、メモリ上のデータを指定した時点で自動的に破壊する技術を開発

中央大学は6月18日、デジタルデータの「忘れられる権利」を実現できるメモリシステム「Privacy-protection Solid-State Storage(PP-SSS)System」を開発したと発表した。

[16:29 6/18]

理研など、低消費電力デバイスの実現に向けてイリジウム酸化物の性質を解明

理化学研究所(理研)は6月16日、原子レベルの超格子薄膜技術を用いてイリジウム酸化物の電子相を制御し、磁性の出現と絶縁体化が密接に関係していることを解明したと発表した。

[09:00 6/18]

2015年06月05日(金)

東北大など、マルチフェロイック物質の電子機能制御過程の可視化に成功

東北大学などの研究グループは6月5日、次世代の多機能電子素材として期待される「マルチフェロイック物質」において、新たな電子機能制御手法を実証し、その基礎原理を確立したと発表した。

[17:33 6/5]

東大など、コバルト酸化物の新たな磁気構造「悪魔の階段」の観測に成功

東京大学(東大)や理化学研究所(理研)などで構成される研究グループは、スピントロニクス材料として期待される巨大磁気抵抗を示すコバルト酸化物「SrCo6O11」に、スピン配列の周期として理論的に考えられるすべての状態が存在し、それらが磁場の変化とともに磁化が階段状に増加していく様子「悪魔の階段」を確認することに成功したと発表した。

[17:04 6/5]

東工大など、cm規模の面積で高品質の有機薄膜を形成することに成功

東京工業大学(東工大)は6月5日、センチメートル(cm)クラスの面積で、局所的に構成分子の配向や配列が揃っている領域(ドメイン)が隣り合う部分「ドメイン境界」がない有機薄膜を形成することに成功したと発表した。

[14:47 6/5]

2015年06月02日(火)

富士フイルムなど、有機半導体フォトレジストによるフルカラー有機ELを作製

富士フイルムとベルギーimecは6月2日、独自開発のサブミクロンオーダーのパターン形成が可能な有機半導体用フォトレジスト技術を用いて、フルカラーの有機発光ダイオード(OLED)を作製し、その動作実証に成功したと発表した。

[12:54 6/2]

2015年05月26日(火)

広島大、シリコン量子ドットを発光体とした青白色LEDを開発

広島大学は5月20日、ナノシリコン(シリコンの量子ドット)を発光体とした青白色LEDを開発したと発表した。

[19:16 5/26]

2015年04月16日(木)

東芝、ウェアラブルデバイス用マイコンの消費電力を低減する制御技術を開発

東芝は4月15日、複数センサを搭載しセンシングを行なうウェアラブルデバイス向けのマイクロコントローラ(マイコン)の消費電力削減を実現する制御技術を開発したと発表した。

[16:36 4/16]

2015年04月15日(水)

浜ホト、LDを8分の1以下の狭いスペクトル幅で発振するレーザー共振器を開発

浜松ホトニクス(浜ホト)は4月15日、LDスタック2個を、ストライプミラーと単一面型VBGを用いて同時に波長制御することで、2個のLDスタックのスペクトル幅を2.59nmから0.31nm以下(8分の1以下)へと狭くし、高効率で高強度を実現したレーザー共振器を開発したと発表した。

[20:11 4/15]

2015年04月13日(月)

東工大、高耐熱性と酸化物半導体並みの移動度を実現した有機半導体材料を開発

東京工業大学(東工大)は4月10日、液晶性を付与した高性能な有機トランジスタ材料の開発に成功し、酸化物半導体(IGZO)並みの高い移動度を実用度の高いボトムゲート・ボトムコンタクト型トランジスタで実現できることを確認したと発表した。

[17:48 4/13]

2015年04月07日(火)

東北大、光パルスを用いて高速で磁気秩序の制御を行うことに成功

東北大学は、光パルスの照射により磁性体の磁気秩序を高速で制御することに成功したと発表した。

[13:48 4/7]

2015年04月06日(月)

東北大、グラフェンの電子状態を制御することに成功

東北大学は4月6日、グラフェンを二層重ねた物質(二層グラフェン)の間にカルシウム原子を挿入(サンドウィッチ状)した二層グラフェン化合物について、それを形成する下地基板の特性を利用して性質を改変することに成功し、電荷密度波が生じていることを明らかにしたと発表した。

[18:27 4/6]

2015年03月26日(木)

東大など、高品質な酸化亜鉛ヘテロ界面を作成し未解決の量子相を観測

東京大学やマックスプランク固体研究所などの研究グループは、極めて高品質な酸化亜鉛ヘテロ界面を作製し、理論的に未解決の量子相の観測に成功した。

[09:51 3/26]

東大、グラフェンナノリボンの形成に成功

東京大学は、トップダウンとボトムアッププロセスの融合によるグラフェンナノリボンの形成に成功したと発表した。

[09:46 3/26]

2015年03月25日(水)

NTTなど、量子センサ実現へダイヤモンド中電子スピンの寿命の改善法を確立

NTT、NII、大阪大学、NICTの研究グループは、ダイヤモンド中に閉じ込められた電子スピンに超伝導磁束量子ビットを結合させることにより、ダイヤモンド中の電子スピンの寿命が約10倍に伸びることを示したと発表した。

[18:36 3/25]

東工大など、光通信デバイスに透磁率の概念を導入

東京工業大学(東工大)、理化学研究所、岡山大学の研究グループは、メタマテリアルを実装した光変調器開発に成功し、光通信デバイスに"透磁率"の概念を導入した。

[18:28 3/25]

2015年03月23日(月)

NEDO、5mm角ながら25Gbps/chの伝送速度を実現した光トランシーバを開発

新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)と光電子融合基盤技術研究所(PETRA)は3月23日、シリコンフォトニクス技術を用いた、世界最小クラスとなる5mm角の小型光トランシーバ(光I/Oコア)を開発し、1Gbpsあたり5mWの消費電力、および1チャンネルあたり25Gbpsの伝送速度を実現し、かつマルチモードファイバを用いて伝送距離300mの高速データ伝送を実証したと発表した。

[15:02 3/23]

NEC、信号の入出力数を拡張できるシリコン集積光スイッチ技術を開発

NECは、ネットワーク規模に応じて信号の入出力数を拡張できるシリコン集積光スイッチ技術を開発した。

[11:35 3/23]

2015年02月25日(水)

ルネサス、低消費電流のBluetooth LE用RFトランシーバ技術を開発

ルネサス エレクトロニクスは2月25日、ウェアラブルデバイスなど低電力・近距離無線通信の要となるBluetooth Low Energy(BLE)に対応した2.4GHzの低消費電力RFトランシーバ技術を開発したと発表した。

[18:01 2/25]

2015年02月24日(火)

東工大、高周波無線給電型の超低電力無線機で多値変調を実現

東京工業大学(東工大)は、高周波(RF)無線給電型の超低電力無線機で、多値変調による無線信号伝送技術を開発したと発表した。

[12:41 2/24]

東工大、ADCを用いた低ジッタ動作の新方式デジタルクロック生成器を開発

東京工業大学(東工大)は、A/Dコンバータ(ADC)を用いた新方式のデジタルクロック生成器を開発し、従来のデジタルPLLに比べ、低消費電力かつ低ジッタで動作することを確認したと発表した。

[12:36 2/24]

東工大、ホットキャリアによりトランジスタ性能を回復する技術を開発

東京工業大学(東工大)は、パルス状の逆電圧を印加するという電気的な手法を用い、ホットキャリア注入現象により劣化したトランジスタの性能を回復させる技術を開発したと発表した。

[12:31 2/24]

富士通など、CPU間の高速伝送を1Gbps当たり5mWで実現

富士通と富士通研究所、Fujitsu Laboratories of America(FLA)、技術研究組合 光電子融合基盤技術研究所(PETRA)、新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)は2月23日、サーバやスパコンのCPU間高速データ通信を世界最高の電力効率である1Gbps当たり5mWで実現するシリコンフォトニクス技術を用いた光送受信回路を開発したと発表した。

[12:20 2/24]

富士通研、CPU間の大容量伝送に向けて多並列化が可能な光送受信回路を開発

富士通研究所は2月23日、今後のサーバやスパコンのCPU間大容量データ伝送の実現に向けて、多並列化が可能な光送受信回路を開発したと発表した。

[12:18 2/24]

2015年02月23日(月)

日立、量子コンピュータに匹敵する性能の室温動作の新型コンピュータを試作

日立製作所は2月23日、約1兆の500乗通りのパターン(組み合わせ)から適した解を導く「組み合わせ最適化問題」を量子コンピュータなみの性能で実現可能な新型コンピュータを試作したと発表した。

[12:26 2/23]

2015年02月20日(金)

東北大、超硬物質ダイヤモンドと窒化ホウ素の接合界面の原子構造を特定

東北大学は2月17日、最先端の超高分解能走査透過型電子顕微鏡と第一原理計算手法を駆使し、最も硬い物質として知られるダイヤモンドと、ダイヤモンドの次に硬い立方晶窒化ホウ素同士の接合界面の原子構造、結合メカニズムを、原子レベルで決定することに成功したと発表した。

[09:00 2/20]

2015年02月19日(木)

早大、金属ナノ粒子の電界トラップで亀裂を自己修復する金属配線技術を開発

早稲田大学(早大)は、金属ナノ粒子の電界トラップを用いることで、配線上に一度クラック(亀裂)が生じた場合でも、自己修復する金属配線を実現したと発表した。

[13:36 2/19]

2015年02月06日(金)

東芝とSK Hynix、ナノインプリント半導体露光技術を共同開発

東芝は2月5日、SK Hynixと次世代半導体露光技術であるナノインプリントリソグラフィ(NIL)の開発を加速させるため、2014年12月に基本合意した共同開発について、正式契約を締結したと発表した。

[16:27 2/6]

2015年01月27日(火)

NEDO、印刷で作れる電子タグで温度センシングとデジタル信号の伝送に成功

新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)は1月26日、印刷で製造可能な有機温度センサと高性能有機半導体デジタル回路を開発し、電子タグとして温度センシングと商用周波数での温度データ伝送に成功したと発表した。

[10:00 1/27]

2015年01月15日(木)

グンゼと信州大、有機導電性繊維を使用したニット素材を開発

グンゼは1月14日、信州大学と共同で、軽量で安全、かつ洗濯耐久性に優れた有機導電性繊維を使用したニット(編物)素材を開発したと発表した。

[17:24 1/15]

2015年01月14日(水)

東大など、次世代磁気メモリ材料開発につながる電気分極成分を発見

東京大学は1月9日、ビスマスフェライトにおいて磁場で制御できる新たな電気分極成分を発見し、この成分が室温で示す不揮発性メモリ効果を観測したと発表した。

[10:33 1/14]

2015年01月13日(火)

東北大、絶縁体に光を照射してスピン流を創り出す新原理を発見

東北大学は1月8日、特定の金属微粒子を含む磁石に可視光を照射することで、スピン(磁気)の流れを生成できる新しい原理を実証したと発表した。

[10:59 1/13]

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