米Applied Materials(AMAT)は、絶縁膜エッチング装置「Applied Centura Avatar」を発表した。

同製品は、新たな設計を全面採用し、3D NAND型フラッシュメモリアレイに不可欠とされる深く微細な形状のエッチングに対応。これにより、最大64層のメモリセルを垂直方向に積層して、小面積で高いビット密度を持つフラッシュデバイスが実現できる。

「Avatar」は、複雑な積層膜に最大アスペクト比80:1(深さ:幅)のホールやトレンチをエッチングが可能。また、深さが大幅に異なる形状を、同時かつ精密にエッチングすることもできる。このエッチングは、各メモリセル層と外部を接続する階段状のコンタクト構造を形成する上で、不可欠な機能という。

なお、すでにチャンバ30基以上のがすでにユーザーに出荷されているという。

絶縁膜エッチング装置「Applied Centura Avatar」