エルピーダ、ReRAMを開発 - 64Mビットメモリセルアレイ動作を確認

エルピーダメモリは1月24日、次世代メモリの1種であるReRAM(Resistance Random Access Memory)を開発したことを発表した。同成果は、新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)との共同研究事業によるもので、シャープ、産業技術総合研究所および東京大学と共同で進めてきたもの。今回開発されたReRAMは同社の50nmプロセスを用いたもので、64Mビットのメモリセルアレイ動作を確認したという。

ReRAMは電圧を加えることで抵抗値が変化する材料を素子として用いた次世代半導体メモリ。不揮発性メモリで、データの読み書きが高速かつ低消費電力という特長を持つほか、書き換え速度も10nsとDRAM並みながら、書き換え回数は100万回以上とNAND型フラッシュメモリの10倍以上の耐久性を達成することが可能なメモリとなっている。

なおエルピーダでは、今後さらに開発を進め、2013年には30nmプロセスで容量が1Gビット級のReRAMの量産を目指すとしており、NAND型フラッシュメモリなど既存の不揮発性メモリの代替メモリとして、低コストでの量産実現を目指した開発を進めていくとしている。