エルピーダが量産を開始した25nmプロセス世代のDDR3 DRAM

エルピーダメモリは8月1日、25nmプロセスを採用した2GビットDDR3 DRAM「EDJ2104BFSE/EDJ2108BFSE」のサンプル出荷を7月末より開始したことを発表した。

同製品は、ピンあたりのデータ転送レートが1866Mbps以上で、データ幅は×4ビット/×8ビットに対応。電源電圧は1.5Vもしくは低電圧版では1.35Vに対応しており、消費電流は従来の同社先端プロセスであった30nm品に比べ、動作時で約15%、待機時で約20%、ぞれぞれ減少することに成功している。

主にPCのほか、データセンター用サーバなどに搭載される見込みなほか、携帯電話やスマートフォン、タブレット、ゲーム機、FPD,STBなどのデジタル機器にも順次採用される見通しとしており、2011年末までには同プロセスを用いた4GビットDDR3品の製品化を予定するほか、モバイル機器向けDRAM「Mobile RAM」にも同プロセスを順次適用させていくとしている。