エルピーダメモリは4月27日、2011年5月より30nmプロセスをDRAMの本格量産を開始することを発表した。

エルピーダが開発した30nmプロセス採用DRAM

同社の30nmプロセスを採用したDRAMは、2010年9月に開発を完了、2010年末よりプロセッサメーカーを含む大手カスタマへ2Gビット品のサンプルを出荷し、評価が行われていたほか、2011年1月より先行量産を開始、徐々にその生産割合を高めてきていた。

従来の40nmプロセス品に比べ300mmウェハ1枚当たりのチップ取れ数は約45%増となるほか、消費電力も20%以上低減することが可能だ。

生産は同社広島工場および台湾Rexchip Electronicsの300mmウェハ対応ファブ。2011年5月より広島工場にてPC向けの30nm 2GビットDDR3 SDRAMの本格量産を開始し、続いて4GビットDDR2 Mobile RAM、4GビットDDR3 SDRAMへと展開する予定。広島工場における30nmプロセスDRAMの量産規模は、2011年4-6月期に生産能力の20%を予定しており、これにより広島工場では同四半期より生産能力のほぼすべてが40nmおよび30nmプロセスへと切り替わる計画。また、同年7-9月期には30nmプロセスの比率を30%まで引き上げる計画としている。

一方、Rexchipでは2011年7-9月期に30nmプロセスDRAMの量産を開始し、同四半期中に生産能力の50%、10-12月期には100%のプロセス移行を計画している。