imecが2月下旬に米サンノゼで開催された先進リソグラフィとパターニングに関する国際会議「SPIE Advanced Lithography + Patterning」にて、高NA(NA=0.55)EUVリソグラフィを用いてパターン形成した20nmピッチの金属配線構造の電気テスト(eテスト)結果を発表した。

サーペンタイン型(一本の配線が蛇行した構造)とフォーク・フォーク型(2つのフォークが向き合ってお互いのスロットに入り込んだような構造)の両方の金属配線構造の測定では、良好な電気的歩留まりを示しており、確率的欠陥の数が少ないことを確認したという。eテストの結果は、高NA EUV露光装置とその周辺のエコシステムが、微細な寸法で線/スペースをパターニングできる能力を裏付けるものだとimecは主張している。

  • TiNハードマスクへのパターン転写後の20nmピッチ配線構の蛇行構造

    TiNハードマスクへのパターン転写後の20nmピッチ配線構の蛇行構造(右)とフォーク構造(左)のトップダウンSEM写真 (出所:imec)

  • 20nmピッチ金属配線パターンをCMP平坦化した後のTEM画像

    20nmピッチ金属配線パターンをCMP平坦化した後のTEM画像 (出所:imec)

20nmピッチ配線で良好な歩留まりを確認

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