マイナビニュース | テクノロジー | 次世代半導体技術 | ヘッドライン(2016)(1ページ目)

ヘッドライン

2016年12月20日(火)

SC16 - Exascale以降のデバイスの研究状況

CMOSデバイスの微細化は限界に近づきつつあるが、デバイスの研究者は、より高性能のデバイスを作ることを諦めたわけではない。SC16において、コロンビア大学のナノ・イニシアティブのディレクタであるThomas N.Theis教授が、Beyond Exacaleの時代の新デバイスの研究開発状況について講演を行った。

[07:00 12/20]

2016年12月19日(月)

東北大、スピントロニクス素子を使った人工知能の基本動作の実証に成功

東北大学は12月19日、磁石材料から構成されるミクロなスピントロニクス素子を使った人工知能の基本動作の実証に成功したと発表した。

[17:28 12/19]

2016年12月16日(金)

MIT、CNTスタンプを使ったナノスケール印刷技術を開発

マサチューセッツ工科大学(MIT)の研究チームは、カーボンナノチューブ(CNT)でできたスタンプと導電性インクを用いて、基板表面に微細なパターンを高速で印刷する技術を開発した。ガラスやフレキシブルシートなどの表面にCNTスタンプを押し付けてパターンを転写するだけで電子デバイスとして機能させることができる。タッチパネルや高解像度ディスプレイの画素制御などに使われる微細なトランジスタも、スタンプ処理によって形成できるようになるという。低コスト化も期待できる。研究成果は、Science系列のオープンアクセス誌「Science Advances」で報告された。

[11:08 12/16]

2016年12月14日(水)

imec、縦型GAA SiナノワイヤCMOSトランジスタを開発

ベルギーimecは、米国カリフォルニア州サンフランシスコで開催されたIEDM 2016において、ゲートオールアラウンド・シリコンナノワイヤMOSFETを垂直に積層したCMOSトランジスタを発表した。

[10:00 12/14]

2016年12月02日(金)

新しい二次元半導体セレン化インジウムを開発 - マンチェスター大など

マンチェスター大学とノッティンガム大学の研究チームは、グラフェンに似た結晶構造を持つ新しい二次元薄膜材料セレン化インジウム(InSe)を開発した。二次元のInSeはシリコンを上回る電子移動度を持つ半導体であり、次世代の高速トランジスタなどの材料として有望視されている。研究論文はナノテク専門学術誌「Nature Nanotechnology」に掲載された。

[12:14 12/2]

2016年12月01日(木)

【特別企画】若手来場者へ特典が!? 半導体展示会「SEMICON Japan 2016」

今年で40周年を迎える、世界最大級の半導体製造・材料の総合展示会SEMICON Japan 2016。12月14~16日の3日間にわたり、昨年と同様に東京ビッグサイトにて開催される。「半導体業界の未来のためにも、将来を担う若手の方々に多く来場していただきたい」と語るのはSEMIジャパン代表の中村修氏である。本稿では、中でも若手向けに開催される催しについて紹介しよう。

[10:06 12/1]

2016年11月24日(木)

大阪府立大、印刷で作製できる絆創膏型のウェアラブルデバイスを開発

大阪府立大学は11月24日、印刷で作製できる柔らかい添付型のウェアラブルデバイスのプロトタイプを開発したと発表した。

[14:48 11/24]

2016年11月22日(火)

東大など、半金属ビスマス自体がトポロジカル物質であることを解明

東京大学(東大)は11月21日、半金属ビスマスがトポロジカル物質であることを解明したと発表した。

[12:48 11/22]

2016年11月21日(月)

【特別企画】未来にCONNECT! 「SEMICON Japan 2016」開催

2016年12月14~16日 東京ビッグサイトにて開催される半導体製造・材料の総合展示会 SEMICON Japan 2016。SEMI ジャパン代表の中村修氏に、半導体業界の現状と今年の見所について紹介頂いた。

[10:17 11/21]

2016年11月15日(火)

半導体を使わない電子デバイス、メタマテリアルで作製 - UCSD

カリフォルニア大学サンディエゴ校(UCSD)の研究チームは、メタマテリアルを利用することで、半導体を使用しないマイクロ電子デバイスを作製することに成功した。メタマテリアルで構成されたデバイスに光を照射することで電気伝導度が1000%増加することを示した。研究成果は学術論文誌「Nature Communications」に発表された。

[16:43 11/15]

2016年11月11日(金)

名大、負の熱膨張率を利用して炭素原子バッファ層のグラフェン化に成功

名古屋大学(名大)は11月9日、グラフェンの負の熱膨張率を利用して、炭素原子バッファ層を900℃から-196℃に急冷することによるグラフェン化に成功したと発表した。

[12:47 11/11]

日本ゼオン、SGCNTとゴム複合の高性能シート系熱界面材料の量産を開始

新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)は11月10日、日本ゼオンがスーパーグロース法を用いたカーボンナノチューブ(SGCNT)とゴムを複合した高性能なシート系熱界面材料(TIM)の開発に成功したと発表した。

[06:00 11/11]

2016年11月08日(火)

東北大など、原子配置の制御によって原子層金属/半導体の作り分けに成功

東北大学などは11月7日、原子配置制御によって原子層金属/半導体の作り分けに成功したと発表した。

[15:10 11/8]

2016年11月04日(金)

極小のメモリスタ論理回路を設計、ナノコンピュータの実現目指す - UCSB

カリフォルニア大学サンタバーバラ校(UCSB)の研究チームは、ファインマンの残した「直径が原子10~100個分の配線を使い、1000オングストローム程度の大きさに収まる回路からなる微小なコンピュータ」という課題の実現をめざし、新構造のデバイスを設計した。その構造は、不揮発性メモリの一種である「メモリスタ」に論理回路としての機能も統合し、3次元構造化するというもの。通常のコンピュータでは分離されているデータ処理機能と記憶機能を同時に1カ所で行えるようにすることで、高速で微小なコンピュータが可能になるという。

[15:50 11/4]

2016年10月28日(金)

電源なしで数年間駆動する、IoT向け超低電力トランジスタ - ケンブリッジ大

ケンブリッジ大学の研究チームは、半導体-金属界面のショットキー障壁を利用した新原理の超低電力薄膜トランジスタを開発した。電池・電源を用意しなくても、環境中の熱や振動などを変換して得られるごくわずかな電力によって、トランジスタを数カ月から数年といった長期間駆動できるようになるという。IoTやウェアラブルデバイスなどの用途に広く利用できる可能性がある。研究成果は科学誌「Science」に掲載された。

[11:23 10/28]

2016年10月21日(金)

バークレー研究所、ゲート長1nmの世界最小トランジスタを作製

ローレンス・バークレー国立研究所らの研究チームは、ゲート長1nmのトランジスタを作製し、デバイス動作を実証したと発表した。これまで報告された中では最小のトランジスタとなる。

[09:40 10/21]

2016年10月19日(水)

NEDO、新規ランガサイト型単結晶を用いた振動子を開発

新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)は10月19日、NEDO「戦略的省エネルギー技術革新プログラム」において、新規ランガサイト型単結晶を用いた振動子を開発し、結晶育成からデバイス製造までの新たな製造プロセスを確立したと発表した。

[16:50 10/19]

2016年10月18日(火)

二硫化モリブデンへの電子線照射でバンドギャップをコントロール - 千葉大

千葉大学は10月17日、原子層物質の一種である二硫化モリブデンに、走査電子顕微鏡で電子線を照射するだけで、半導体として重要なバンドギャップが大きくなる現象を発見したと発表した。

[11:04 10/18]

2016年10月13日(木)

東北大など、3次元構造グラフェンによる電気2重層トランジスタの動作を確認

東北大学は10月12日、3次元ナノ多孔質グラフェンを用いたグラフェントランジスタの3次元集積化に成功したと発表した。

[10:00 10/13]

2016年10月12日(水)

千葉工大など、600℃超で動作可能な不揮発性メモリ素子を開発

千葉工業大学(千葉工大)は10月11日、白金ナノギャップ構造を利用し600℃でも動作する不揮発性メモリ素子を開発したと発表した。

[15:53 10/12]

銅を酸化するだけでレアメタルスピントロニクス材料を上回る効率に - 慶大

慶應義塾大学(慶大)は10月11日、金属の酸化というアプローチによってスピントロニクスデバイスの性能を向上させることに成功したと発表した。

[14:13 10/12]

2016年10月07日(金)

IBMの半導体研究モデルは、何が他社と違うのか? 第3回 50年先を見据えるIBMの半導体研究グループ

IBMという企業は全体として、システムの設計からウェハ・プロセスの研究まで一貫した半導体の研究開発を行っている。では、他のファブレスやIT企業はどうだろうか。

[10:00 10/7]

2016年10月06日(木)

IBMの半導体研究モデルは、何が他社と違うのか? 第2回 IBMモデルはファブレスともコンソーシアムともちがう

IBMは現在、GFと韓国Samsung Electronicsを研究パートナーとして先端半導体プロセス・デバイス研究を行っている。同社は、2015年7月に、これらパートナー2社と協力して300mmを用いて世界で初めて7nmプロセスを用いたテストチップの試作に成功している

[09:00 10/6]

2016年10月05日(水)

IBMの半導体研究モデルは、何が他社と違うのか? 第1回 VLSI ResearchのCEOが見たIBMの半導体研究の現在

米IBMは、2014年10月に自社の半導体事業部門を譲渡したが、半導体研究部門だけは自社内に残して、そこに30億ドルも投資することを明らかにしている。製造部門無きIBMの半導体研究部門はどんなビジネスモデルで運営されているのか、IBM半導体研究グループ独自の研究モデルを紹介しよう。

[11:00 10/5]

2016年09月30日(金)

Hot Chips 28 - InVisageの量子ドットを用いたイメージセンサ

Hot Chips 28において、InVisageという会社が、量子ドットを使うイメージセンサを発表した。量子ドットを使うことにより、近赤外光に対する感度が上がり、ダイナミックレンジも改善されるという。

[11:00 9/30]

2016年09月29日(木)

電磁材料研など、室温で透明な強磁性体の作製に成功

電磁材料研究所、東北大学、日本原子力研究開発機構(JAEA)は9月28日、透明強磁性体の開発に成功したと発表した。

[12:45 9/29]

2016年09月21日(水)

産総研、半導体酸化Gaをトンネル障壁層とした全単結晶TMR素子を開発

産業技術総合研究所(産総研)は9月20日、独自に開発した単結晶酸化ガリウムの成膜プロセスを用いて、半導体Ga2O3をトンネル障壁層とした単結晶だけからなるトンネル磁気抵抗(TMR)素子を開発したと発表した。

[11:59 9/21]

2016年09月13日(火)

100Tビット級の高密度メモリに期待-東工大、単分子レベルで分子配向を制御

東京工業大学(東工大)は9月13日、フラーレンの一部を切り出したようなお椀型をした分子形状を持つ「スマネン」を用いて、単分子レベルで分子配向を自在に制御することに成功したと発表した。

[17:57 9/13]

JAEAなど、グラフェンのゲルマニウム版「ゲルマネン」の原子配置を解明

日本原子力研究開発機構(JAEA)、東京大学(東大)、高エネルギー加速器研究機構(KEK)は9月13日、全反射高速陽電子回折(TRHEPD)法を用いて、グラフェンのゲルマニウム版「ゲルマネン」の原子配置の解明に成功したと発表した。

[17:27 9/13]

どうなる? 次世代の半導体プロセス技術 第4回 次世代メモリの最有力候補はどんな技術なのか?

既存の、高速だが不揮発性ではないDRAMや不揮発性だが低速のNAND型フラッシュメモリに代わる次世代高速不揮発性メモリとしてさまざまな技術が研究されている。DRAMの微細化が困難になってきた状況を踏まえ、メモリ技術はどういった方向に進むのだろうか。

[08:00 9/13]

2016年09月06日(火)

どうなる? 次世代の半導体プロセス技術 第3回 10nm以降の超微細化における問題点と注目すべき点

IC Knowledgeの視点でとらえた10nm以降の技術ノードでの問題点や注目すべき点はいくつかある。中でも商用ノード5nmのロジックプロセスでは、新トランジスタ構造、そしてEUVの採用と、製造リスクが格段に跳ね上がることとなる。

[08:00 9/6]

2016年09月05日(月)

NECと東大、脳の構造をモデル化した次世代AI向け脳型LSIの開発に着手

NECと東京大学は9月2日、都内で記者会見を開き、日本の競争力強化に向け戦略的パートナーシップに基づく総合的な産学協創を本格的に開始すると発表した。産学協創の第1弾の活動として社会への影響力が大きい分野であるAI(人工知能)分野に焦点を定め「NEC・東京大学フューチャーAI研究・教育戦略パートナーシップ協定」を締結し、具体的な活動を開始する。

[13:35 9/5]

2016年08月30日(火)

どうなる? 次世代の半導体プロセス技術 第2回 各社の先端技術ノードはどう比較すれば良いのか?

ITRSが技術ノードを定義することを辞めた後、各社の微細化の程度は、どのように比較すれば良いのか。ASMLが定義している標準ノードをもとにIC Knowledgeが計算してみた。

[07:00 8/30]

2016年08月26日(金)

どうなる? 次世代の半導体プロセス技術 第1回 存在意義を失ったITRSロードマップ

「SEMICON West 2016」の併催講演会としてIC Knowledgeが次世代の半導体技術について講演を行った。今回の連載では、この講演内容を踏まえて、半導体技術の最新事情を読み解いてみたい。

[19:35 8/26]

2016年08月22日(月)

従来比50%超の消費エネルギー削減を果たしたAES暗号処理回路を開発-東北大

東北大学およびNECは8月22日、「ガロア体」と呼ばれる特殊な数体系に基づく演算圧縮手法を発見し、それを用いて、消費エネルギーを従来比で50%以上削減した高効率のAES暗号処理回路を開発したと発表した。

[19:36 8/22]

量子コンピュータへの活用にも期待 - ビスマス層状酸化物の超伝導物質

東北大学、東京大学、東京工業大学などによる研究グループは8月22日、これまで超伝導を示さないと考えられていたビスマス層状酸化物の超伝導体を発見したと発表した。

[17:12 8/22]

2016年07月27日(水)

東北大など、マンガン系合金ナノ薄膜を用いたトンネル磁気抵抗素子を開発

東北大学などは7月27日、垂直磁化マンガン系合金ナノ薄膜を用いたトンネル磁気抵抗(TMR)素子の開発に成功したと発表した。

[17:21 7/27]

2016年07月26日(火)

理研、トポロジカル絶縁体表面で新しい電流-スピン流変換現象の観測に成功

理化学研究所(理研)は7月26日、トポロジカル絶縁体の表面を用いた新しい電流-スピン流変換現象の実験的観測および定量的評価に成功したことを発表した。

[10:16 7/26]

2016年07月22日(金)

理研など、光照射だけでスピン偏極電流が発生するトポロジカル絶縁体を発見

理化学研究所(理研)は7月20日、トポロジカル絶縁体の薄膜にパルス光を照射することで、外部電場を加えなくても大きなスピン偏極光電流が発生し、それを外部磁場で制御できることを発見したと発表した。

[13:41 7/22]

2016年07月19日(火)

阪大と昭和電工、300℃の高温域で安定動作するSiCパワー半導体を実現

昭和電工は7月19日、同社が参画する大阪大学 菅沼克昭教授のプロジェクトにおいて、SiCパワー半導体が300℃の高温域において安定的に動作する基板構造を開発したと発表した。

[16:49 7/19]

2016年06月30日(木)

東大、GaAs半導体に添加したMnの濃度増加で物理学の常識と異なる現象を発見

東京大学(東大)は6月29日、磁性をもつ原子を半導体中に加えて強磁性にすることにより、伝搬する電子の散乱が抑えられ秩序が回復する特異な現象を観測したと発表した。

[08:00 6/30]

2016年06月27日(月)

imec、将来を見据えた横型および縦型GAAナノワイヤFETを発表 - VLSIシンポジウム 2016

「2016 Symposia on VLSI Technology and Circuits(VLSIシンポジウム 2016)」が、「スマート社会への変革の予兆」をメインテーマに、2016年6月13~17日に米国ハワイ州ホノルルで開催された。その中で、imecが8nm Siナノワイヤを用いたGAA MOSFETの発表を行った。

[10:36 6/27]

2016年06月22日(水)

赤く光る新しい窒化物半導体を計算で予測し、高圧合成実験で発見 - 東工大

東京工業大学(東工大)は6月21日、マテリアルズ・インフォマティクスと実験の連携により、希少元素を使わずに赤く光る新窒化物半導体を発見したと発表した。

[08:30 6/22]

2016年06月14日(火)

アジレント、トリプル四重極ICP-MSの新製品 - 感度2倍、ナノ粒子にも対応

アジレント・テクノロジー(アジレント)は6月14日、トリプル四重極ICP-MS(誘導結合プラズマ質量分析計)の新モデル「Agilent 8900」を販売開始したと発表した。

[16:35 6/14]

2016年06月07日(火)

東北大、20年間不明であった磁性半導体(Ga,Mn)Asの強磁性発現機構を解明

東北大学は6月7日、物質の発見から20年間不明であった磁性半導体(Ga,Mn)Asの強磁性発現機構の解明に成功したと発表した。

[11:56 6/7]

2016年06月03日(金)

NEC、CPUとFPGA間の高速通信を実現するデータ通信方式を開発

日本電気(NEC)は6月2日、CPUと書き換え可能な専用LSIのFPGAを広帯域な伝送路でつないだプロセッサ(密結合プロセッサ)において、CPUとFPGA間の高速通信を実現する「異デバイス共通通信方式」を開発したと発表した。

[07:00 6/3]

2016年06月02日(木)

カーボンナノチューブ上に10nm幅の超伝導ナノワイヤーを実現 - 慶大など

慶應義塾大学(慶大)は6月1日、カーボンナノチューブをテンプレートとして、世界最小クラスの超極細超伝導ナノワイヤーを実現したと発表した。

[13:01 6/2]

2016年05月26日(木)

旭硝子、「C12A7エレクトライド」のスパッタリングターゲット材を量産開始

AGC旭硝子(旭硝子)は5月26日、東京工業大学の細野秀雄教授らの研究グループが開発した「C12A7エレクトライド」を用いた均一な非晶質薄膜を開発し、量産に必要なスパッタリングターゲット材の工業化と商業生産を開始したと発表した。

[15:19 5/26]

2016年05月19日(木)

imec、シリコン半導体技術を適用した量子コンピュータの研究開発に着手

imecは5月17日(欧州時間)、オランダ国アムステルダムでのQuantum Europe Conference(欧州量子会議)開幕にあわせて、量子コンピュ―ティングに焦点を当てた研究開発を開始すると発表した。

[09:00 5/19]

英IQEとimec、高耐圧GaN-on-Siパワーダイオードの開発で協業

英IQEは5月16日(英国時間)、ベルギーの独立系半導体研究機関であるimecとGaN-on-Si技術に関して戦略的協業契約を結んだと発表した。

[08:00 5/19]

2016年05月17日(火)

東北大など、アモルファスSiOの構造解明 - 5種類のSiの原子環境が存在

東北大学(東北大)は5月16日、アモルファス一酸化シリコン(SiO)の構造解明に成功したと発表した。

[10:44 5/17]

2016年05月11日(水)

COOL Chips XIX - 究極の低電力を目指すPULPプロセサ 第3回 PULPプロセサを補完する研究開発も進展

PULPは大きな広がりをもったプロジェクトで、PULPプロセサを補完する各種のチップが開発されている。その1つが、ニューラルネットワークの処理のアクセラレータの「Origami」である。

[09:00 5/11]

2016年05月10日(火)

東工大、しきい値電圧の低い有機トランジスタとして機能する化合物の合成法

東京工業大学(東工大)は5月10日、しきい値電圧の低い有機トランジスタとして機能する複素環化合物を安定的に合成する手法を開発したと発表した。

[14:35 5/10]

COOL Chips XIX - 究極の低電力を目指すPULPプロセサ 第2回 低消費電力化のためにUTBB FD-SOI技術を活用

電源電圧を下げた場合に問題となるのは、トランジスタの製造バラつきである。そこでPULPが取り入れたのがUTBB FD-SOIという半導体製造技術である。

[10:00 5/10]

2016年05月09日(月)

COOL Chips XIX - 究極の低電力を目指すPULPプロセサ 第1回 欧州が推進するIoT時代の超低電力化プロセサの研究

2016年のCOOL ChipsではETH Zurich兼ボローニャ大のLuca Benini教授が来日し、IoT時代に必要とされる超低消費電力化の研究プロジェクト「PULP」について、「Sub-pJ-Scalable Computing」と題する基調講演と最新の研究成果を披露した。

[13:47 5/9]

2016年04月27日(水)

東北大など、高速/低消費電力な次世代デバイスを実現する新物質を発見

東北大学は、3次元的なディラック電子を有する質量ゼロの粒子「ワイル粒子」を物質内に内包したトポロジカル物質「ワイル半金属」を発見したと発表した。

[16:59 4/27]

2016年04月25日(月)

東工大など、二次元材料「二硫化ハフニウム」を用いたトランジスタを開発

東京工業大学(東工大)は4月25日、新しい二次元材料である二硫化ハフニウム(HfS2)を用いたMOSトランジスタを開発したと発表した。

[18:47 4/25]

2016年04月21日(木)

SEMI、フレキシブル・ハイブリッド・エレクトロニクスへの取り組みを拡大

SEMIジャパンは4月20日、都内で会見を開き、2015年10月に戦略的パートナー協定を締結し、SEMIの一員としての活動を開始したFlexTech Allianceに関する説明を行った。

[10:00 4/21]

2016年04月16日(土)

肌がディスプレイになる? 皮膚に貼れる薄くて超柔軟な有機LED - 東大が開発

東京大学(東大)は4月16日、皮膚のような複雑な曲面に貼り付けることができる超柔軟で極薄の有機LEDを作製し、大気中で安定に動作させることに成功したと発表した。

[09:00 4/16]

2016年04月13日(水)

NTTと東京理科大、GaN半導体においてアト秒周期で振動する電子運動を観測

日本電信電話(NTT)と東京理科大学は4月12日、窒化ガリウム(GaN)半導体において、アト秒周期で振動する電子の動きを観測することに成功したと発表した。

[20:32 4/13]

2016年04月12日(火)

NTT、メカニカル振動子と量子ドットを結合した新しい半導体素子を開発

日本電信電話(NTT)は4月11日、高感度センサや高精度発振器に広く用いられているメカニカル振動子と量子ドットを結合した新しい半導体素子を作製し、量子効果を用いた超高感度の計測手法を実証したと発表した。

[14:36 4/12]

2016年04月11日(月)

【特別企画】IoT社会を支えるアルバックの最先端テクノロジー - ファインテック ジャパン

真空技術のリーディングカンパニーであるアルバック(ULVAC)は、2016年4月6日~8日に東京ビッグサイトで開催された技術展示会「ファインテック ジャパン」のMEMS技術ゾーンに、最新の製品とテクノロジーを出展した。

[07:00 4/11]

2016年04月05日(火)

東大、指の力を加えるだけで電気伝導率が2倍になる有機物半導体を開発

東京大学(東大)は4月4日、指の力を加えるだけで電気伝導率が約2倍になる半導体材料を開発したと発表した。

[11:17 4/5]

2016年04月01日(金)

銅錯体溶液へのレーザー照射で通常環境でも銅配線形成が可能に - 芝工大

芝浦工業大学(芝工大)は3月31日、特定の銅錯体にレーザーを当てるだけで銅配線が形成できる技術を開発したと発表した。

[10:49 4/1]

2016年03月28日(月)

阪大とデンソー、SiCパワー半導体用接合材の亀裂が自己修復する現象を発見

新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)は3月28日、大阪大学(阪大)とデンソーらの研究グループが、SiC(シリコンカーバイド)パワー半導体用接合材の自己修復現象を発見したと発表した。

[17:25 3/28]

2016年03月24日(木)

東北大ら、溌液るつぼで安価・高品質な直径200mm単結晶シリコンの製造に成功

東北大学(東北大)は3月23日、低コストな高品質単結晶シリコンの製造方法を開発したと発表した。

[18:07 3/24]

2016年03月23日(水)

東北大、超高速・低消費電力集積回路を実現する新構造磁気メモリ素子を開発

東北大学(東北大)は3月21日、超高速動作が可能な新方式の磁気メモリ素子を開発し、その動作実証に成功したと発表した。

[10:22 3/23]

2016年03月16日(水)

産総研ら、フォトリソグラフィ法で100万以上のQ値を持つ光ナノ共振器を作製

大阪府立大学と産業技術総合研究所(産総研)は3月16日、フォトリソグラフィ法を用いて100万以上のQ値を有する光ナノ共振器を作製することに成功したと発表した。

[17:12 3/16]

2016年03月02日(水)

東北大、リチウムイオン電池を用いて人工的な磁石を創出することに成功

東北大学は3月1日、リチウムイオン電池に分子性材料を電極として組み込むことで、人工的にイオン制御可能な磁石を創り出すことに成功したと発表した。

[08:00 3/2]

2016年02月26日(金)

imecが広波長帯域ハイパースペクトラル・イメージセンサとカメラを公開

ベルギ―の独立系ナノテク研究機関imecは、スペクトラル波長領域を可視光から近赤外まで広げたリニアスキャン・ハイパースペクトラルCMOSイメージセンサを開発し、「SPIE Photonics West」での発表と実演を行った。

[09:00 2/26]

7nm以降のプロセスは実現できるのか? - imecが進める次世代リソグラフィ開発の現状

ベルギーの独立系先端半導体研究機関imecは、日本をはじめ海外の企業とも積極的に協業して、7nmおよびそれ以降のプロセス開発のための次世代リソグラフィの実用化を急いでいる。

[08:00 2/26]

2016年02月10日(水)

GFとNY州立大学、EUVリソの実用化を目指す研究に5億ドルを投資

米国ニューヨーク州立大学Polytechnic Institute(SUNY Poly)は2月9日(米国時間)、GLOBALFOUNDRIES(GF)と共同で新たにEUVリソグラフィの実用化を目指す研究センター「Advanced Patterning and Productivity Center(APPC)」を設置したと発表した。

[11:49 2/10]

2016年02月05日(金)

東北大など、グラフェンの超伝導化に成功

東北大学(東北大)は2月4日、グラフェンの超伝導化に成功したと発表した。

[12:52 2/5]

2016年02月01日(月)

NICTなど、シリコンCMOS集積回路によりテラヘルツ波を用いた無線技術を開発

広島大学、情報通信研究機構(NICT)、パナソニックは2月1日、シリコンCMOS集積回路により最大毎秒100ギガビットを超える伝送速度でデジタル情報の無線伝送を可能とする、テラヘルツ波(300GHz帯)を用いた無線送信技術を開発したと発表した。

[17:10 2/1]

東北大など、質量のないディラック電子の流れを制御できる磁石を発見

東北大学(東北大)は2月1日、質量ゼロの「ディラック電子」の流れを制御できる新しい磁石を発見したと発表した。

[16:21 2/1]

東芝と東大、世界最高の省電力性能を有するプロセッサ用メモリ回路を開発

新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)は2月1日、同機構のプロジェクトにおいて、65nm世代のシリコントランジスタに混載した4Mビットクラスの新方式磁性体メモリ(STT-MRAM)回路において、3.3nsというキャッシュメモリとして十分に高速なアクセス時間、ならびに揮発性メモリ(SRAM)と比較して消費電力10分の1以下という低消費電力化を実現したと発表した。これは、キャッシュメモリとして世界最高の電力性能であるという。

[14:31 2/1]

東工大と富士通研、56Gbpsの伝送が可能なミリ波無線送受信技術を開発

東京工業大学(東工大)と富士通研究所(富士通研)は2月1日、72~100GHzの周波数範囲で高速に損失が少なく信号処理できるCMOS無線送受信チップとそのモジュール化技術を開発したと発表した。

[09:30 2/1]

2016年01月26日(火)

東大、物体に押し付けるだけで静止摩擦係数を計測できる触覚センサを開発

東京大学(東大)は1月25日、接触面の静止摩擦係数を検出するマイクロ触覚センサの開発に成功したと発表した。

[09:00 1/26]

東大、半径80μmまで折り曲げても正確に測れる圧力センサーを開発

東京大学(東大)は1月26日、曲げても性質が変化しないフレキシブル圧力センサーの開発に成功したと発表した。

[08:30 1/26]

東工大、導電性の高分子ファイバーが自発的に成長する現象を発見

東京工業大学(東工大)は1月25日、導電性高分子がファイバー状に成長する現象を発見し、さらに同現象を応用して、ワイヤレス電極間を高分子ファイバーで繋いでネットワーク化することに成功したと発表した。

[08:00 1/26]

2016年01月25日(月)

NEDOなど、商用ICカード規格で動作する有機半導体デジタル回路を開発

新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)は1月25日、印刷で製造可能な有機半導体デジタル回路の高速化に成功し、商用ICカード規格で動作する温度センシングデジタル回路の開発に成功したと発表した。

[17:34 1/25]

2016年01月20日(水)

ノーマリーオフコンピューティングはIoT時代の必須技術となるのか? 第4回 ヘルスケアシステムの低消費電力化技術

ロームはウェアラブルで常時計測を行うヘルスケアシステムを対象とした研究開発を行った。例えば血圧は1日のうちの時間やどのようなことをしているかによっても変動するので、常時計測が望ましい。そして、生活習慣を分析するためには最低2週間のデータをログする必要があるという。

[08:00 1/20]

2016年01月19日(火)

ノーマリーオフコンピューティングはIoT時代の必須技術となるのか? 第3回 センサネットワークのノーマリーオフ化技術

ルネサスはセンサネットワークのノーマリーオフ化を目指した。IoTなどのものに付けられたセンサからの情報を集めるという使い方は、今後、どんどん伸びると考えられ、電池を電源にするにしろ、太陽電池やその他の自然エネルギーを回収して電源とするにしろ、センサネットワークの電力消費を減らすことは、きわめて重要になる。

[08:00 1/19]

2016年01月18日(月)

産総研、常温で微弱なテラヘルツ波パワーを測定できる高感度センサーを開発

産業技術総合研究所(産総研)は1月18日、常温で微弱なテラヘルツ波パワーを高感度で測定できるセンサーを開発したと発表した。

[18:46 1/18]

ノーマリーオフコンピューティングはIoT時代の必須技術となるのか? 第2回 スマートフォンやタブレットの消費電力を下げる技術

東芝は、スマートフォンやタブレットなどの携帯デバイスの消費電力削減をターゲットとして研究開発を行った。

[08:00 1/18]

2016年01月15日(金)

ノーマリーオフコンピューティングはIoT時代の必須技術となるのか? 第1回 ノーマリーオフコンピューティング基盤技術開発プロジェクトが成果を報告

コンピュータは、スマートフォンなどの携帯機器が中心になり、さらに、ウェアラブルやセンサベースの機器が伸びてきており、それらの機器では電力消費の低減が非常に重要となる。このため、NEDOでは平成23年9月に「ノーマリーオフコンピューティング基盤技術開発」というプロジェクトをスタートさせた。

[09:00 1/15]

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