マイナビニュース | テクノロジー | 次世代半導体技術 | ヘッドライン(2014)(1ページ目)

ヘッドライン

2014年12月25日(木)

NICT、量子通信の実現に向けた量子もつれ光の高速生成技術を開発

情報通信研究機構(NICT)は12月19日、電気通信大学と共同で、光ファイバ通信波長帯における量子もつれ光子対の生成効率を向上させる技術を開発したと発表した。

[13:44 12/25]

東北大、グラフェンを越える新材料シリセンの基盤電子構造を解明

東北大学は12月22日、グラフェンを越えると期待されている新材料シリセンの層間化合物CaSi2を合成し、その電子状態を解明したと発表した。

[09:30 12/25]

2014年12月24日(水)

東大、粘着性ゲルを開発 - 体に直接貼る生体情報センサを作製

東京大学は12月19日、粘着性のあるゲルを開発し、湿布のように体に貼り付けるだけで生体情報を計測できるシート型センサを作製したと発表した。

[10:00 12/24]

2014年12月18日(木)

産総研、多結晶ゲルマニウムトランジスタの性能改善に成功

産業技術総合研究所(産総研)は12月16日、LSIの3D積層技術の実現に向けて、新たな多結晶膜形成技術を開発し、N型多結晶ゲルマニウム(Ge)トランジスタの性能を大幅に改善したと発表した。

[10:00 12/18]

2014年12月17日(水)

産総研、ノイズを劇的に低減した立体型トランジスタを開発

産業技術総合研究所(産総研)は12月15日、立体型トランジスタ(フィンFET)の低周波ノイズをこれまでの最小レベルに低減する技術を開発したと発表した。

[09:00 12/17]

ルネサス、車載情報機器向けに最先端16nm FinFETを用いたSRAMを開発

ルネサス エレクトロニクスは12月16日、16nm世代プロセス以降の車載情報機器用SoC向けに新しい回路技術を開発したと発表した。

[09:00 12/17]

2014年12月15日(月)

東大、極めて低い消費電力で動くトンネル電界効果トランジスタを開発

東京大学は12月15日、極低電圧での動作が可能な新しい構造のトンネル電界効果トランジスタを開発したと発表した。

[15:43 12/15]

NIMSと東大、原子層超伝導体に形成されるジョセフソン接合を発見

物質・材料研究機構(NIMS)と東京大学は12月11日、シリコン表面上に形成した原子レベル厚さの超伝導体において、原子1個分の高さの段差(原子ステップ)が超伝導電流の流れを制御するジョセフソン接合として働くことを発見したと発表した。

[10:29 12/15]

2014年12月12日(金)

東北大、磁性材料の特性を左右する欠陥構造の特定に成功

東北大学は12月11日、英国ヨーク大学と共同で、第一原理計算による構造探索と世界最先端の超高分解能走査透過型電子顕微鏡を駆使し、磁性材料である四酸化三鉄(Fe3O4)(黒錆)中の面状欠陥構造を、原子レベルで決定することに成功したと発表した。

[10:00 12/12]

2014年12月11日(木)

慶応大、スピン流量が絶縁体中のマグノンの寿命により決定されることを解明

慶応義塾大学(慶応大)は12月9日、磁気の流れであるスピン流の増大原理を世界で初めて明らかにしたと発表した。

[10:41 12/11]

阪大、超低熱伝導率を有する極小のナノドット結晶シリコン材料を開発

大阪大学(阪大)は12月10日、極小なナノドット結晶の結晶方位をそろえて連結した材料を形成する技術を開発したと発表した。

[10:39 12/11]

2014年12月01日(月)

東北大、チタン酸ストロンチウム基板の表面電子状態を解明

東北大学は11月27日、超高分解能顕微鏡観察と第一原理計算の併用により、チタン酸ストロンチウム(SrTiO3)単結晶表面の電子状態の解明に成功し、電子密度の空間分布がエネルギーに依存して変化していることを明らかにしたと発表した。

[09:30 12/1]

2014年11月25日(火)

IMS、有機半導体のドーピング効率を100%にする"ドーピング増感効果"を発見

分子科学研究所(IMS)は11月18日、有機半導体に不純物を極微量加えるドーピングの効率を100%にすることに成功したと発表した。

[09:30 11/25]

2014年11月21日(金)

東北大、アモルファス合金ナノワイヤを用いた磁気センサ素子を開発

東北大学は10月19日、ガスアトマイズ法を用いて、磁化されやすい軟磁性の特性をもつコバルト鉄系アモルファス合金(金属ガラス)から、直径がナノメートルスケールのナノワイヤを安価に生産し、これを用いてプロトタイプの磁気センサ素子を作製することに成功したと発表した。

[10:41 11/21]

2014年11月13日(木)

阪大など、有機半導体の表面と結晶内部で大きく異なる構造変化を観測

大阪大学(阪大)は11月10日、有機半導体の表面では結晶内部と大きく異なる構造が実現していることを明らかにしたと発表した。

[13:23 11/13]

2014年11月12日(水)

ロームと神戸大、ウェアラブル生体センサ向け超低消費電力技術を開発

ロームと神戸大学は11月11日、次世代ウェアラブル生体センサに最適な世界最小クラスの超低消費電力技術を開発したと発表した。

[11:37 11/12]

2014年10月31日(金)

理研、分子と陽イオンの相互作用を利用し光スイッチ分子の均一膜を形成

理化学研究所(理研)は10月30日、光スイッチ機能が注目されているジアリールエテン分子を銅表面上に均一膜として形成することに成功し、膜の形成メカニズムを解明したと発表した。

[17:39 10/31]

2014年10月25日(土)

京大、高温超伝導体を用いたテラヘルツ光源の温度分布の可視化と制御に成功

京都大学は10月22日、高温超伝導体を用いたテラヘルツ光源における温度分布の可視化と制御に成功し、温度分布とテラヘルツ発振強度の関係を明らかにしたと発表した。

[10:00 10/25]

2014年10月21日(火)

日立金属、鉛フリー圧電薄膜を用いた3軸角速度センサを開発

日立金属は10月21日、ワコーと共同で、鉛フリー圧電薄膜を用いた3軸角速度センサを開発したと発表した。

[15:23 10/21]

京大、形状と細孔サイズを変えられる3次元グラフェンナノシートを開発

京都大学は10月16日、形状と細孔サイズを自在に変えることができる多孔性の3次元グラフェンナノシートとその簡便な合成方法を開発したと発表した。

[09:30 10/21]

2014年10月09日(木)

慶応大、新物質「金属内包シリコンナノクラスタ」の合成と薄膜化に成功

慶応義塾大学(慶応大)は10月8日、規則的に並んだシリコン原子が、中心の金属原子を丸くカゴ状に取り囲む、新たなナノ物質である金属内包シリコンナノクラスタを気相合成し、固体表面上で薄膜化する技術を開発したと発表した。

[18:55 10/9]

2014年10月08日(水)

富士通研、ミリ波レーダの低コスト化が図れるCMOS送受信チップを試作

富士通研究所は10月8日、低コスト化が可能な半導体プロセスであるCMOSを使用したミリ波レーダ用送受信チップを試作し、近距離検知性能向上を実現することに成功したと発表した。

[17:34 10/8]

NTT、シリコントランジスタ中の電荷トラップで単電子転送を高速化

NTTは10月6日、シリコントランジスタ中に存在する電荷の閉じ込め状態であるトラップ準位を介した単電子転送(電子を1つずつ正確に運ぶ技術)の高速化に成功したと発表した。

[10:31 10/8]

2014年10月03日(金)

三菱電機と東北大、5GHz/60GHz帯デュアルバンド対応Si-CMOS受信RFICを開発

三菱電機と東北大学は10月3日、長距離通信が可能なマイクロ波帯(5GHz)と超高速通信が可能なミリ波帯(60GHz)の受信回路を、低コストなSi-CMOSで1チップ化した5GHz/60GHz帯デュアルバンド対応Si-CMOS受信RFICを開発したと発表した。

[19:37 10/3]

2014年10月01日(水)

産総研、ダイヤモンドウェハの低欠陥コピー技術を実証

産業技術総合研究所(産総研)は9月29日、ダイレクトウェハ化技術により、転位など欠陥の極めて少ない気相合成単結晶ダイヤモンドウェハを作製できる低欠陥コピー技術を実証したと発表した。

[09:30 10/1]

2014年09月29日(月)

東大、近藤状態によって散乱される電子波の位相のずれを観察

東京大学は9月22日、独自に開発した2経路干渉計を用いて、近藤状態によって散乱される電子の波動関数の位相が90度ずれる様子を捉えたと発表した。

[10:05 9/29]

東芝、動的電源電圧制御による極低消費電力高周波発振回路を開発

東芝は9月26日、Bluetooth Low Energyなどの低消費電力無線通信向けの高周波発振回路を開発したと発表した。

[09:30 9/29]

2014年09月25日(木)

東北大と神戸大、情報通信機器の安全性を高める攻撃検知センサ技術を確立

東北大学と神戸大学は9月24日、暗号機能を実装した情報セキュリティ製品をサイドチャネル攻撃と呼ばれる強力な攻撃から守る攻撃検知センサ回路の設計技術を確立し、そのセンサ回路の有効性を示す実証実験に成功したと発表した。

[22:35 9/25]

2014年09月24日(水)

JAEA、まだら模様に凍る重元素化合物YbRh2Si2の低温での電子状態を明らかに

日本原子力研究開発機構(JAEA)は9月22日、重元素化合物YbRh2Si2の低温での特異な電子状態を明らかにしたと発表した。

[14:36 9/24]

2014年09月22日(月)

東北大、強誘電体メモリの記録密度を大幅に向上させる可能性を示す

東北大学は9月19日、強誘電体材料の分極ドメインをナノ構造化することにより、走査型圧電応答顕微鏡(PFM)を用いて、分極自由回転状態の書き込みと読み込みに成功したと発表した。

[16:00 9/22]

2014年09月19日(金)

九大、電流を流すことなく熱を利用して純スピン流の生成に成功

九州大学(九大)は9月19日、スピンを使った次世代の電子素子での応用が期待される純スピン流を、熱を使って効率的に生成することに成功したと発表した。

[15:55 9/19]

2014年09月17日(水)

東工大など、質量のないディラック電子の空間分布が特異であることを発見

理化学研究所(理研)と東京工業大学(東工大)は、トポロジカル絶縁体表面に形成される質量のない電子(ディラック電子)の空間分布の観測に成功し、特異な空間分布であることを解明したと発表した。

[17:32 9/17]

産総研、CNT内部の微細空間で2種類の原子が交互に並んだ原子の鎖を合成

産業技術総合研究所(産総研)は9月15日、2種類の元素が交互に並んだ原子の鎖(原子鎖)を合成し、その原子レベルの物理特性を評価したと発表した。

[16:42 9/17]

2014年09月16日(火)

東芝、超低消費電力マイコン向けに新たな動作原理のトランジスタを開発

東芝は9月11日、超低消費電力マイコン向けに新たな動作原理を用いた2種類のトンネル電界効果トランジスタ(TFET)を開発したと発表した。

[18:17 9/16]

2014年09月11日(木)

東北大、ジグザク型グラフェンナノリボンの作製に成功

東北大学は9月5日、ジグザグ型エッジを有するグラフェンの作製に成功したと発表した。

[09:00 9/11]

2014年09月09日(火)

京大、シリコンを用いたスピントランジスタの室温動作を実現

京都大学は9月8日、TDK、秋田県産業技術センターと共同で、スピンMOSトランジスタの室温動作を実現したと発表した。

[18:28 9/9]

2014年09月08日(月)

東北大、3次元量子ドット構造を用いたLEDの作製・発光を実現

東北大学は9月4日、バイオテンプレート技術と融合して、高均一・高密度・無欠陥の6層積層した3次元GaAs/AlGaAs量子ドットを作製することに成功した。さらに、この量子ドットを用いてLEDを作製し、電流注入によるLEDからの発光を実現したと発表した。

[14:23 9/8]

2014年09月04日(木)

九大、超伝導体はスピン流に対して絶縁体となることを解明

九州大学(九大)は、発熱を最小限に抑えたスピン流生成法を開発し、同技術を超伝導体へのスピン注入実験に適用することで、電流にとっては完全導体である超伝導体が、スピン流にとっては絶縁体となることを実験的に明らかにしたと発表した。

[12:42 9/4]

2014年09月02日(火)

東工大、高分子1本鎖からの電界発光を観測 - 高分子ELの高耐久性に寄与

東京工業大学(東工大)は8月29日、共役系高分子の1つであるポリフルオレン単一鎖からの電界発光の観測に成功したと発表した。

[15:20 9/2]

2014年08月25日(月)

東大、有機分子ワイヤを通る電子移動速度の高速化を実現

東京大学は8月25日、オリゴフェニレンビニレン(OPV)を炭素原子で架橋した構造を持つ「炭素架橋フェニレンビニレン(COPV)」と名付けた新開発の有機分子ワイヤ中を電子が通る速度(電子移動速度)が、既存の分子ワイヤに比べて840倍程度速くなることを発見したと発表した。

[21:32 8/25]

古河電工、電子線ホログラフィを用いた化合物半導体解析法を確立

古河電気工業(古河電工)は8月21日、ファインセラミックスセンター(JFCC)との共同研究で、電子線ホログラフィを用いた化合物半導体中の不純物分布解析手法を確立したと発表した。

[14:28 8/25]

2014年08月18日(月)

理研など、異常量子ホール効果の量子化則を実験的に検証

理化学研究所(理研)と東京大学、東北大学は8月18日、新物質のトポロジカル絶縁体[(Bi1-xSbx)2Te3]薄膜に磁性元素のクロム(Cr)を添加することで、無磁場でエネルギー損失なく電流が流れる異常量子ホール効果の量子化則を観測し、異常量子ホール効果と整数量子ホール効果が本質的に同じであることを実証したと発表した。

[18:17 8/18]

2014年08月11日(月)

JAIST、炭素2原子層厚のグラフェン膜を使った電子機械スイッチの動作に成功

北陸先端科学技術大学院大学(JAIST)は、2層グラフェン(原子2層厚の炭素原子シート)膜で作製した両持ち梁を機械的に上下させて動作する電子機械スイッチの原理検証に成功したと発表した。

[15:55 8/11]

東北大、GaN LEDやレーザダイオード向けの結晶基板「ScAlMgO4」を開発

東北大学は8月7日、GaNを主材料とする窒化物半導体からなる青色LED、およびBlu-ray用レーザの高性能化に向けて、格子不整が従来のサファイア基板と比較して1/10となる新たな結晶基板ScAlMgO4(SCAM)を開発し、その適用性を確認したと発表した。

[13:13 8/11]

IBM、脳からヒントを得た非ノイマン型アーキテクチャのSyNAPSEチップを発表

IBMは8月7日(現地時間)、100万個のプログラム可能なニューロン、2億5600万個のプログラム可能なシナプス、毎秒毎ワット460億のシナプティックオペレーションというスケールを達成するニューロシナプティックコンピュータチップを発表した。

[13:01 8/11]

2014年08月07日(木)

東大、二硫化モリブデンがバレートロニクス材料として有力であることを証明

東京大学は8月5日、グラフェンに続くシート状の構造を持つ物質として着目されている二硫化モリブデンが、バレートロニクスと呼ばれる新しい低消費電力デバイス用の材料として非常に有力であることを実験的に証明したと発表した。

[10:30 8/7]

2014年08月06日(水)

東大、らせんに巻いた電子スピンによる巨大な光のアイソレータ効果を発見

東京大学は8月4日、物質中に生じるらせん型に配列した電子スピンが、光の進行する向きに依存して光吸収を大きく変化させる機能性を有していることを発見したと発表した。

[11:40 8/6]

2014年07月29日(火)

理研、SQUIDを超伝導共振器の回路に組み込んでパラメトロンを作製

理化学研究所(理研)は7月25日、超伝導回路を用いたパラメトロンを作製し、量子ビットの読み出しに応用したところ、90%を超える精度での単一試行読み出しに成功したと発表した。

[09:00 7/29]

2014年07月28日(月)

東大、SiCを理想性能に近づける絶縁膜材料の新たな改質手法を開発

東京大学は7月25日、次世代のパワーデバイス材料として期待されるSiCと、その上に形成される絶縁膜材料との間の界面欠陥を大幅に低減し、理想性能に近づける新しい改質手法を開発したと発表した。

[14:45 7/28]

2014年07月23日(水)

NTTなど、NMRを用いて高純度半導体における電子の結晶化の観測に成功

NTTと科学技術振興機構(JST)は7月21日、核磁気共鳴(NMR)を用い、半導体ヘテロ構造において、低温かつ強磁場で電子が結晶化する様子を観測することに成功したと発表した。

[09:00 7/23]

2014年07月16日(水)

東北大、スピン軌道相互作用の直接検出法を確立 - 永久スピン旋回状態を検出

東北大学は7月14日、半導体細線構造に印加する磁場方向を変化させることにより、量子干渉効果が最大となる角度からスピン軌道相互作用を直接決定できる検出法を確立したと発表した。

[09:00 7/16]

2014年07月11日(金)

Infineon、パワーデバイス向けSiCおよびGaN-on-Siの研究成果の一部を公表

Infineon Technologiesは、次世代半導体材料であるSiCおよびGaN-on-Siの研究プロジェクト「NeuLand」が、半導体回路のエネルギー損失を35%削減することに成功したと発表した。

[15:31 7/11]

2014年07月10日(木)

IBM、7nmプロセス以降の半導体開発に30億ドルを投資

IBMは7月10日(米国時間)、クラウド・コンピューティングならびにビッグデータの拡大する需要への対応に必要な半導体技術の開発プログラムに向け、今後5年間で合計30億ドルを投資すると発表した。

[18:22 7/10]

東工大、導電性ナノファイバネットワークを用いた透明導電フィルムを開発

東京工業大学(東工大)は7月10日、簡便かつ安価な製造法で得られるフレキシブルで割れない透明導電フィルムを開発したと発表した。

[14:52 7/10]

2014年07月03日(木)

産総研、微細トランジスタの不純物濃度分布を高精度に測定する手法を開発

産業技術総合研究所(産総研)は7月2日、微細トランジスタの不純物濃度分布を高精度に測定するための走査トンネル顕微鏡(STM)シミュレーション技術を開発したと発表した。

[16:16 7/3]

2014年07月02日(水)

山形大、ハンカチサイズで食品ラップより薄い電子回路を印刷プロセスで作製

山形大学は7月1日、ハンカチ程度の約20cmx20cmサイズで、食品ラップの1/10となる約1μm厚の柔らかいフィルムに、2種類のインクを用いて印刷プロセスによりトランジスタ回路を作製し、手でくしゃくしゃにしても、また、広げても作動することを実証したと発表した。

[15:43 7/2]

2014年06月30日(月)

産総研、超低消費電力で磁気書き込みできる磁化反転アシスト技術を開発

産業技術総合研究所(産総研)は6月30日、高周波電圧をかけることによって、金属磁石材料の磁化の向きを反転させるために必要な磁界を小さくできる磁化反転アシスト技術を開発したと発表した。

[16:11 6/30]

産総研、MEMSパッケージング向けに常温大気中での金属接合技術を開発

産業技術総合研究所(産総研)は6月26日、超平滑表面を持つ犠牲層薄膜上にめっきでパターンを形成した後、犠牲層薄膜を除去して、超平滑めっき表面を形成する技術を開発したと発表した。これをデバイスパッケージングのための接合技術に適用し、常温の大気中で金属同士の高強度接合を実現したという。

[10:26 6/30]

北大、精緻な銀ナノプレート構造を簡便なレーザ照射によって実現

北海道大学(北大)は6月26日、LSIの高密度化のための3次元微細配線や、メタマテリアルの作製技術などに応用が期待される配向性銀ナノプレート構造を、簡便なレーザ照射によって実現することに成功したと発表した。

[10:24 6/30]

2014年06月27日(金)

岡山大、巨大π電子系フェナセンを効率的に合成しトランジスタを作成

岡山大学は6月26日、8個のベンゼン環がジグザグに繋がったフェナセンと呼ばれる分子の効率的な合成法を開発したと発表した。

[15:31 6/27]

理研、グラフェンの物性制御に向け新たな炭素-酸素結合の構造を解明

理化学研究所(理研)は6月24日、金属電極に接触した酸化グラフェンの化学構造を理論的に調べ、エノラート構造という高い反応性の化学種であることを発見したと発表した。

[12:12 6/27]

2014年06月25日(水)

Noffプロジェクトシンポジウム -2週間連続動作のヘルスモニタを目指すローム

「第2回 ノーマリオフ コンピューティングシンポジウム」において、ロームの藤森敬和氏が、同社の目指す低電力のヘルスモニタ機器の研究開発状況を発表した。高齢化が進み要介護者が増えるが、これを低減するためには、脳卒中などの生活習慣病を予防することが重要であり、そのためには生活習慣を計測することが重要であるという。

[12:00 6/25]

NIMSなど、分子の自己組織化のタイミング・構造・機能すべてを容易に制御

物質・材料研究機構(NIMS)は6月23日、有機エレクトロニクス材料分野の重要技術とされるπ共役系分子の自己組織化のタイミング、および得られる構造・機能を容易に制御できる技術を開発したと発表した。

[11:30 6/25]

Noffプロジェクトシンポジウム -ルネサスの目指すノーマリオフセンシング技術

「第2回ノーマリオフ コンピューティングシンポジウム」において、ルネサスの林越正紀氏が同社の研究開発状況を発表した。ルネサスの目標は、スマートシティの実現に使われる各種のセンサの消費エネルギーを、ノーマリオフ技術を使って1/10に低減することである。

[11:05 6/25]

2014年06月24日(火)

Noffプロジェクトシンポジウム - 東芝の携帯情報端末の低電力化技術

昨年に引き続き、「第2回ノーマリオフ コンピューティングシンポジウム」において、藤田忍氏が東芝の研究開発状況を発表した。携帯情報端末では、ディスプレイや無線などの部分の消費電力は減少してきているのに対して、プロセサは性能向上要求が強く消費電力は増加傾向であり、将来はプロセサ電力が突出してしまうという。

[10:00 6/24]

2014年06月23日(月)

Noffプロジェクトシンポジウム -消費電力1/10を目指したシンポジウムが開催

6月19日に横浜の情報文化センターで2回目の開催となる「ノーマリーオフ(Normally Off) コンピューティング」の公開シンポジウムが開催された。会場は、ほぼ満席で消費電力低減に関する関心の高さをうかがわせる。

[11:55 6/23]

東工大、CNTを用いた室温動作のテラヘルツ波検出器を開発

東京工業大学(東工大)は6月19日、カーボンナノチューブ(CNT)を用いたテラヘルツ波検出器を開発したと発表した。

[10:32 6/23]

2014年06月19日(木)

東芝、省電力・高性能なFPGAを実現する不揮発メモリ混載技術を開発

東芝は、フラッシュメモリとCMOSトランジスタを同一チップ内に近接して混載する技術を開発したと発表した。同技術をFPGAに応用することで、低消費電力かつ高性能な不揮発FPGAが実現する。

[18:35 6/19]

2014年06月13日(金)

中大、データの1000年記憶を目指してSSDのエラーを80%低減する技術を開発

中央大学(中大)は6月13日、データの長期保存を目指して、フラッシュメモリを記憶媒体とするSSDのエラーを80%低減する技術を開発したと発表した。

[20:00 6/13]

東芝、1MBクラスの新方式磁性体メモリSTT-MRAM回路を開発

東芝は、高性能プロセッサ向けに1MBクラスの新方式磁性体メモリSTT-MRAM回路を開発したと発表した。

[15:24 6/13]

2014年06月12日(木)

中大、CNTを使った半導体メモリNRAMの高速、低電力、高信頼動作を実証

中央大学(中大)は6月12日、カーボンナノチューブ(CNT)を用いた半導体メモリであるNRAMに最適な書き込み方法を提案し、140nmサイズの単体素子を測定して、高速、低電力、大容量、高信頼な基本的な動作を実証したと発表した。

[17:44 6/12]

2014年06月11日(水)

産総研、トンネルFETの動作速度改善技術を考案 - 10倍以上の高速化に期待

産業技術総合研究所(産総研)は6月9日、シリコントンネル電界効果トランジスタ(トンネルFET)の新たな動作速度改善技術を考案し実証したと発表した。同技術により、動作速度が10倍以上改善されることが期待されるという。

[18:40 6/11]

2014年06月10日(火)

東大、有機色素分子1個の互変異性化の速度を記録 - "分子メモリ"の実現に道

東京大学は6月9日、孤立した1つのH2Pc分子の互変異性化の速度を計測することに成功し、その速度が理論計算の予測と一致して数秒に1回と非常に遅いことがわかったと発表した。

[16:34 6/10]

日立、アプリの許容エラー率に応じてLSIの電圧を最適化する技術を開発

日立製作所は6月10日、アプリケーションが許容できる計算結果にエラーが含まれる割合(許容エラー率)に応じて、LSIの駆動電圧を最適化するITシステムの電力効率向上技術を開発したと発表した。

[16:31 6/10]

産総研、高移動度ポストシリコン材料の3次元積層によるCMOS回路動作に成功

産業技術総合研究所(産総研)は6月9日、大規模集積回路(LSI)の消費電力低減に有効な、InGaAs n型MOSFETとSiGe p型MOSFETにより構成される3次元積層CMOSリングオシレータ回路を試作し、その回路動作に成功したと発表した。

[14:15 6/10]

2014年06月09日(月)

東北大など、MRAMの実用化に向けた新たなエッチング技術を開発

東北大学は6月9日、MRAMの実用化に向けた技術として、酸化と金属錯体反応を同時に実現する装置を開発することで、これまで困難だった遷移金属や磁性体膜の高精度で超低損傷なエッチングに成功したと発表した。

[18:03 6/9]

千葉大、機械的刺激に応答するメカノクロミック発光材料を開発

千葉大学は、"準安定状態"と呼ばれる、外部からの刺激に敏感な集合状態を意図的に造り出すという新しい概念により、"押す"や"擦る"といった巨視的な刺激により発光色が変化する有機化合物材料であるメカノクロミック発光材料を開発したと発表した。

[17:57 6/9]

名大、新型相変化デバイスであるTRAMの熱安定化指針を確立

名古屋大学(名大)は、最先端の計算科学手法である第一原理計算を用いて、新型メモリ「Topological Switching RAM(TRAM)」の基本構造であるGeTe/Sb2Te3超格子構造の熱安定性の機構を明らかにし、TRAMの高信頼化への指針を確立したと発表した。

[17:53 6/9]

2014年06月05日(木)

東工大など、DRAMが搭載された300mmウェハを厚さ4μmに薄化することに成功

東京工業大学(東工大)は6月2日、DRAMが搭載された300mmシリコンウェハの厚さを4μmまで超薄化する技術を開発したと発表した。

[16:32 6/5]

東北大、Si基板上に3次元集積的な成長でグラフェン物性の作り分けに成功

東北大学は6月2日、グラフェンをSi基板上に3次元集積的に成長させることに成功し、さらに同方法により、金属性と半導体性にグラフェンの物性を作り分けることにも成功したと発表した。

[09:53 6/5]

2014年06月04日(水)

九大、内部EL量子効率100%の蛍光材料を用いた有機EL素子を開発

九州大学(九大)は、内部EL量子効率100%を示す蛍光材料を発光材料とした有機EL素子を開発したと発表した。

[17:08 6/4]

2014年06月02日(月)

NEC、低消費電力で柔軟に周波数対応できるデジタル無線送信システムを開発

NECは6月2日、通信事業者の無線基地局向けに、消費電力を従来比で最大約30%削減しつつ、広帯域での柔軟な周波数対応も実現したデジタル無線送信システムを開発したと発表した。

[19:16 6/2]

2014年05月29日(木)

理研、超薄板ガラスのマイクロ流体チップ内電動ポンプを開発

理化学研究所(理研)は5月27日、超薄板ガラスの柔軟性を利用したガラス製マイクロ流体チップ内電動ポンプを開発したと発表した。

[10:19 5/29]

2014年05月27日(火)

京大など、高い磁気転移温度を有するハーフメタル材料を合成

京都大学と高輝度光科学研究センター(JASRI)は、高密度磁気メモリや高感度センサなど、将来のスピントロニクス分野でのデバイス応用が可能なA-Bサイト秩序型ペロブスカイト構造酸化物材料を合成したと発表した。

[09:54 5/27]

2014年05月26日(月)

産総研、厚さ数ナノメートルの有機半導体材料の板状ナノ粒子を製造

産業技術総合研究所(産総研)は5月23日、厚さ数ナノメートルの有機半導体材料の板状ナノ粒子を連続的に製造する方法を開発したと発表した。

[16:48 5/26]

岡山大、世界最高レベルの移動度を実現した有機薄膜トランジスタを開発

岡山大学は、世界最高レベルの電界効果移動度を持った有機薄膜トランジスタを開発したと発表した。

[15:45 5/26]

2014年05月21日(水)

産総研、分子間や原子間で働く弱い凝集力を光の照射で増強できると予測

産業技術総合研究所(産総研)は5月19日、化学結合していない分子同士や原子同士に働く弱い凝集力を、波長を調整した光の照射によって増強できることをシミュレーションにより理論的に予測したと発表した。

[10:56 5/21]

2014年05月19日(月)

東大、SrTaO2N薄膜結晶を合成し酸窒化物で初めて強誘電体的な挙動を観察

東京大学は5月16日、金属酸窒化物の薄膜結晶の一部で、強誘電体的な挙動を観察したと発表した。

[17:55 5/19]

2014年05月16日(金)

産総研、シャープと共同で赤外線カラー暗視カメラ用の撮像素子を開発

産業技術総合研究所(産総研)は5月15日、シャープと共同で赤外線カラー暗視撮影用の撮像素子を開発したと発表した。

[09:42 5/16]

慶応大、単層CNTを用い超高速変調可能なシリコン上・高集積発光素子を開発

慶応義塾大学(慶応大)は5月14日、直径約1nmの微細な一次元物質である単層カーボンナノチューブ(CNT)を用いて、Gbpsレベルの超高速変調が可能なシリコン上・高集積発光素子を開発したと発表した。

[09:41 5/16]

2014年05月13日(火)

東北大と理研、電子の蓄積とその集団的運動の可視化に成功

東北大学と理化学研究所(理研)は5月13日、帯電した絶縁体試料表面近傍で電子が次第に蓄積する様子を、電子線ホログラフィにより電場の乱れとして検出するとともに、その電子集団の移動の様子を可視化することに成功したと発表した。

[18:29 5/13]

2014年05月12日(月)

NIMSなど、大気下・室温で印刷プロセスのみを用いて高性能有機TFTを形成

物質・材料研究機構(NIMS)と岡山大学は5月8日、大気下・室温で完全印刷プロセスにより、有機薄膜トランジスタ(TFT)を形成する技術を確立した。また、同技術でフレキシブル基板上に形成した有機TFTの平均移動度が7.9cm2V-1s-1を達成したと発表した。

[10:44 5/12]

2014年05月08日(木)

東大など、極低温でスピンの向きがふらつく純有機物質を発見

東京大学と物質・材料研究機構(NIMS)は、極低温でスピンの向きがふらつく状態(量子スピン液体状態)を示す純有機物質を発見したと発表した。

[10:00 5/8]

2014年05月07日(水)

産総研、液晶を用いた気体分子のキラリティの簡便な検出法を開発

産業技術総合研究所(産総研)は5月1日、微細なしわ(マイクロリンクル)状の溝に閉じ込められた液晶中に自発的に形成された周期的な液晶配向構造が、気体試料中のキラリティ(掌性)を持つ光学活性分子とその利き手の検知に利用できることを発見したと発表した。

[11:19 5/7]

2014年04月30日(水)

東大、電圧によって左右の回転方向を制御できる円偏光光源を開発

東京大学は4月28日、新たな原子膜材料として注目される二セレン化タングステン(WSe2)の電界効果トランジスタ(FET)を用いて、電圧によって左右の回転方向を制御できる円偏光光源を開発したと発表した。

[17:01 4/30]

2014年04月28日(月)

京大、有機EL素子の高効率化に繋がる準平面型構造の有機半導体材料を開発

京都大学は、独自に設計した準平面型の骨格を用いて、電荷輸送特性に顕著な異方性を示す、有機半導体材料を開発したと発表した。

[18:03 4/28]

2014年04月25日(金)

東北大とJAEA、リラクサー強誘電体の局所構造を3次元的に可視化

東北大学と日本原子力研究開発機構(JAEA)は4月22日、蛍光X線ホログラフィ法を用い、リラクサー強誘電体の局所的な原子配列(構造)を立体的(3次元的)に明らかにすることに成功したと発表した。

[11:18 4/25]

2014年04月24日(木)

東北大と東大、グラフェンの"質量ゼロ"電子を反映した高速電子状態を観察

東北大学と東京大学(東大)は4月23日、グラフェンの"質量ゼロ"電子を反映した超高速の状態を直接観察することに成功したと発表した。

[15:32 4/24]

2014年04月23日(水)

JAEAなど、全反射高速陽電子回折法を高度化し究極の表面構造解析を実現

日本原子力研究開発機構(JAEA)と高エネルギー加速器研究機構(KEK)、名古屋大学は4月21日、KEKの高強度低速陽電子ビームを高輝度化して、TRHEPD(Total Reflection High-Energy Positron Diffraction:全反射高速陽電子回折)法の高度化を実現し、同手法をシリコン結晶の(111)表面に適用して、その表面超高感度性を実証したと発表した。

[11:54 4/23]

2014年04月18日(金)

東大、歪SiGeを用いた低消費電力な光変調器を開発

東京大学は、歪を加えたSiGeを用いて、従来のシリコンよりも効率的に電気信号を光信号に変換できる低消費電力な光変調器を開発したと発表した。

[17:42 4/18]

2014年04月16日(水)

東大、自在に切り貼りできる新しいナノ構造体の開拓に成功

東京大学は4月14日、自在に切り貼りできる新しいナノ構造体の開拓に成功したと発表した。

[10:42 4/16]

2014年04月15日(火)

京大など、フォトニック結晶レーザで光出力1.5Wの室温連続動作に成功

京都大学は4月14日、浜松ホトニクスと共同で、次世代半導体レーザ光源として注目される、フォトニック結晶レーザ素子の開発を進め、3度以内の狭放射角を維持したまま、光出力1.5Wというワット級の室温連続動作に成功したと発表した。

[16:03 4/15]

2014年04月09日(水)

東北大、高い電気伝導性を持った3次元ナノ多孔質グラフェンを開発

東北大学は4月7日、高い電気伝導性を持った新規材料として、3次元ナノ多孔質グラフェンを開発したと発表した。

[09:00 4/9]

2014年04月08日(火)

理研、らせん状に配列した電気四極子を起源とする鏡像構造の概念を実証

理化学研究所(理研)は4月7日、らせん状に配列した電気四極子(電子雲の歪み)を起源とする鏡像構造(キラリティ=右手と左手の関係を持つ構造)という概念を提唱して実証したと発表した。

[18:39 4/8]

2014年04月07日(月)

京大、電気を通す透明な紙の開発に成功

京都大学(京大)と日本製紙は、製紙用パルプがセルロースナノファイバの束であることに着目し、化学修飾を行うことで紙を透明化することに成功したと発表した。

[17:40 4/7]

2014年04月04日(金)

NICTなど、量子通信を実現する超広帯域スクィーズド光源と検出技術を開発

情報通信研究機構(NICT)は4月3日、産業技術総合研究所(産総研)、上智大学、学習院大学と共同で、光ファイバ通信波長帯における超広帯域のスクィーズド光源とスクィーズド光を高精度に検出する光子数識別技術を開発したと発表した。

[16:37 4/4]

名大、1ステップでCNT薄膜の微細パターンが形成できる技術を開発

名古屋大学(名大)は、1ステップの転写プロセスにより、カーボンナノチューブ(CNT)薄膜の微細パターンを10μm以下の解像度でプラスチック上に形成できる技術を開発したと発表した。

[10:30 4/4]

NIMSなど、埋もれた強磁性層からのスピン分解電子状態の検出に成功

物質・材料研究機構(NIMS)と東北大学は4月2日、従来のスピン分解光電子分光法では検出が困難だった埋もれた強磁性層からのスピン分解電子状態の検出に成功したと発表した。

[10:00 4/4]

丸文など、LEDの光取り出し効率を大幅に改善できるプロセスシステムを開発

丸文は4月3日、アルバック、東京応化工業、東芝機械、産業技術総合研究所(産総研)、理化学研究所(理研)と共同で、LED製造プロセスにおいて光の取り出し効率を大幅に改善できる「フォトニック結晶プロセスインテグレーションシステム」を開発したを発表した。

[09:30 4/4]

2014年04月03日(木)

産総研、半導体ダイオードを上回る性能のスピントルクダイオードを開発

産業技術総合研究所(産総研)は4月1日、磁気抵抗効果と磁極の首振り運動を利用したスピントルクダイオードの性能を、非線形効果を採用することで向上させ、半導体ダイオードを上回る感度を実証したと発表した。

[09:00 4/3]

2014年04月01日(火)

TANAKA、2013年度の「貴金属に関わる研究助成金」の受賞者を発表

TANAKAホールディングスは3月31日、田中貴金属グループの2013年度「貴金属に関わる研究助成金」の受賞者を発表した。

[09:30 4/1]

2014年03月28日(金)

東大、マルチフェロイック物質におけるスピンネマティック相互作用を観測

東京大学は、マルチフェロイック物質におけるスピンネマティック相互作用を実験的に観測したと発表した。

[19:01 3/28]

2014年03月25日(火)

理研、室温で2次元のテラヘルツ波像を高感度に可視化することに成功

理化学研究所(理研)は3月24日、室温で動作する実用的な高感度リアルタイムテラヘルツ波イメージングシステムを開発したと発表した。

[17:58 3/25]

2014年03月24日(月)

東大、巨大ホール効果を示す磁性体において量子臨界性を発見

東京大学は、電流と垂直に磁場をかけると巨大な起電力(巨大ホール効果)を示す磁性体において、量子臨界性を発見したと発表した。

[16:29 3/24]

2014年03月18日(火)

阪大、フッ素樹脂表面の平坦性を維持したまま金属と強力接着する技術を開発

大阪大学(阪大)は、フッ素樹脂表面の平坦性を維持したまま金属と強力接着する技術を開発したと発表した。

[10:42 3/18]

慶応大、導電性高分子中でスピン流を作り出すことに室温で成功

慶応義塾大学(慶応大)は3月17日、導電性高分子の中で磁気の流れである"スピン流"を作り出すことに室温で成功したと発表した。

[10:37 3/18]

2014年03月10日(月)

東北大など、スピンエサキ構造素子で半導体中のスピン検出感度を40倍に増幅

東北大学は3月7日、独自のスピンエサキトンネル接合素子を作製し、半導体を流れる電子スピンの検出感度を、従来よりも最大40倍まで増幅させることに成功したと発表した。

[17:15 3/10]

2014年03月05日(水)

JST、高分子鎖1本の超精密機械特性測定に成功 - 電子素子開発などに寄与

科学技術振興機構(JST)は3月4日、1本の高分子鎖を金の基板表面より引き上げるときの機械特性を明らかにしたと発表した。

[09:30 3/5]

2014年03月04日(火)

ケンブリッジ大、固体内に電流を流し電子スピンを制御するメカニズムを発見

ケンブリッジ大学は3月3日、固体内に電流し電子スピンを制御できるスピン軌道相互作用において、新たな磁化制御メカニズムを発見したと発表した。

[10:31 3/4]

2014年03月03日(月)

九大、熱活性化遅延蛍光材料を利用した高効率な青色有機EL素子を開発

九州大学(九大)は、熱活性化遅延蛍光材料を利用した高効率かつ小さなロールオフ特性を示す青色発光有機EL素子を開発したと発表した。

[15:31 3/3]

2014年02月28日(金)

東大など、希薄磁性半導体が磁石の性質を示す機構を解明

東京大学は、希薄磁性半導体中の微量な磁性元素のみを高精度で観測することにより、磁石の性質を示す仕組みを解明したと発表した。

[17:25 2/28]

東工大、半導体中を秒速8万mで動きまわる電子を撮影

東京工業大学(東工大)は2月27日、半導体中を秒速8万mで流れる電子を直接観察し、動画撮影することに成功したと発表した。

[14:06 2/28]

2014年02月25日(火)

東北大、デジタルTV放送の空き周波数で通信する可変SAWフィルタを開発

東北大学は2月24日、村田製作所、情報通信研究機構(NICT)、および千葉大学と共同で、デジタルTV放送の空き周波数帯域(TVホワイトスペース)を選んで無線通信するための1チップ可変表面弾性波(SAW)フィルタを開発したと発表した。

[19:51 2/25]

名大、空気界面を利用した液晶分子の光配向技術を開発

名古屋大学(名大)は、新たな液晶材料の光配向手法を開発したと発表した。

[16:52 2/25]

2014年02月24日(月)

Arteris、FreescaleとQorIQ向けFlexNoCファブリックIP利用契約を締結

米Arterisは、Freescale Semiconductorが同社とFreescaleのプロセッサ「QorIQ」製品向けにArterisの商用ネットワーク・オン・チップ(NoC)インタコネクトIPソリューション「FlexNoCファブリックIP」のライセンスを取り交わしたことを発表した。

[19:12 2/24]

LetiとST、FD-SOI技術により超広電圧範囲に対応した10倍高速なDSPをデモ

フランスの主要研究機関であるCEA-LetiとSTMicroelectronicsは2月21日、UTBB(Ultra-Thin Body Buried-oxide)を特徴とする28nm FD-SOI技術を採用した超広電圧範囲(UWVR:Ultra-Wide-Voltage Range)のDSPのデモに成功したと発表した。

[11:36 2/24]

2014年02月21日(金)

理研など、トポロジカル絶縁体のディラック状態を固体と固体の界面でも検出

理化学研究所(理研)と東京大学は2月20日、新物質のトポロジカル絶縁体(Bi1-xSbx)2Te3薄膜とインジウムリン(InP)半導体を接合した素子を用い、トポロジカル絶縁体に特徴的なディラック状態を固体と固体の界面で検出したと発表した。

[18:39 2/21]

NIMS、2種類の酸化物ナノシートを堆積させ高性能コンデンサ素子を作製

物質・材料研究機構(NIMS)は2月19日、導電性および誘電性を有する2種類の酸化物ナノシートを積み木細工のようにサンドイッチ構造に堆積させることにより、微細な高性能コンデンサ素子の作製に成功したと発表した。

[08:00 2/21]

2014年02月20日(木)

三菱化学など、高分子系有機TFTで電荷移動度23.7cm2/Vsを達成

三菱化学と米国カリフォルニア大学サンタバーバラ校(UCSB)は2月19日、UCSB内に設置する三菱化学先端材料研究センター(MC-CAM)において、高分子材料を用いた有機薄膜トランジスタ(TFT)を作成し電荷移動度23.7cm2/Vsを達成したと発表した。

[17:44 2/20]

2014年02月19日(水)

農工大、半導体チップ上でテラヘルツ波の粒を発生/伝送/検出に成功

東京農工大学(農工大)は、電気駆動により、半導体チップ上でテラヘルツ波の粒を約50%の伝送効率で発生、伝送、検出することに成功したと発表した。

[18:47 2/19]

山形大など、印刷集積回路に応用できる実用レベルのn型有機半導体を開発

山形大学と宇部興産は2月18日、有機溶媒に溶ける新しいn型有機半導体材料を開発し、電子移動度が3cm2/Vs以上で、しかも空気中で安定というn型有機トランジスタを印刷法で作製したと発表した。

[17:54 2/19]

JAEA、ナノスケールの極薄磁石の向きを垂直に揃える新たな機構を発見

日本原子力研究開発機構(JAEA)は2月17日、厚さわずか数原子層からなる極薄磁石の磁気の向きを、薄膜面に対して垂直に保持する新しいメカニズムを理論的に見出したと発表した。

[09:00 2/19]

2014年02月14日(金)

ISSCC 2014 - 中大など、高速SSD技術と高速車載ネットワーク技術を開発

中央大学(中大)と慶応義塾大学(慶応大)は2月13日、ReRAMによる高速SSD技術、および高速車載ネットワーク技術を開発したと発表した。

[09:30 2/14]

東北大、FIRSTプログラムによるスピントロニクス関連の研究成果を発表

東北大学は2月12日、最先端研究開発支援プログラム(FIRSTプログラム)「省エネルギー・スピントロニクス論理集積回路の研究開発」にて、共同事業機関および委託研究機関と進めた成果を発表した。

[09:00 2/14]

東レ、移動度13cm2/Vs、オンオフ比10の6乗の単層CNT薄膜トランジスタを開発

東レは2月12日、単層カーボンナノチューブ薄膜トランジスタ(CNT-TFT)を塗布プロセスで作製し、移動度13cm2/Vs、オンオフ比10の6乗を達成したと発表した。

[09:00 2/14]

2014年02月13日(木)

ISSCC 2014 - NECなど、スピン技術で無線センサの電池寿命を10倍に延長

東北大学とNECは2月12日、スピントロニクス論理集積回路技術を応用した無線センサ端末向けマイコンを開発し、従来技術と比較して消費電力を1/80まで削減できることを実証したと発表した。

[09:56 2/13]

産総研、金属触媒を予め調整する半導体型単層CNTの選択的合成技術を開発

産業技術総合研究所(産総研)は2月12日、半導体型単層カーボンナノチューブ(CNT)を選択的に成長させる技術を開発し、さらに同材料による薄膜トランジスタの特性向上を実証したと発表した。

[09:53 2/13]

2014年02月12日(水)

ISSCC 2014 - 東工大、クロック生成回路をデジタル回路で構成

東京工業大学(東工大)は2月7日、デジタル回路で構成するクロック生成回路の作製に成功したと発表した。

[10:27 2/12]

ISSCC 2014 - 東工大、28Gbpsの伝送が可能な60GHzミリ波無線機を開発

東京工業大学(東工大)は2月7日、28Gbpsの伝送が可能な60GHzミリ波無線機を開発したと発表した。

[10:23 2/12]

東工大など、微小加速度が検出可能な超高分解能MEMSセンサを開発

東京工業大学(東工大)は、従来のシリコンMEMS加速度センサに比べ、1/10という小さな加速度を検出できる超高分解能加速度センサを開発したと発表した。

[09:00 2/12]

2014年02月10日(月)

東大、おむつなどに応用できる柔らかいワイヤレス有機センサシステムを開発

東京大学は2月10日、有機デバイスだけで構成される柔らかいワイヤレスセンサシステムを開発し、その有用性を水分検出センサシートで実証したと発表した。

[19:00 2/10]

東北大、13nm以下の空間で液晶の電場配向に対する閉じ込め効果を観測

東北大学は2月8日、独自に開発した共振ずり測定法を駆使し、基板の間の距離を約13nm以下とした空間に閉じ込められた液晶は、電場により分子の向きを変えることができなくなることを見出したと発表した。

[16:27 2/10]

東工大、半導体での朝永-ラッティンジャー流体の励起素過程の観測に成功

東京工業大学(東工大)とNTTは、は、 半導体ナノ構造中において「朝永-ラッティンジャー流体」の励起素過程の観測に、一次元プラズモン回路である量子ホールエ ッジチャネルを複数用いて、人工的な朝永-ラッティンジャー流体を形成し、プラズモン波束の反射波の時間分解測定を行うことで成功したと発表した。

[13:55 2/10]

2014年02月05日(水)

京大、フラーレン相当のバンドギャップを有するナノ炭素リングの作成に成功

京都大学(京大)は、次世代の有機機能性材料としての応用が期待されている「ベンゼン環」をリング状につなげた構造を持つ炭素リング分子「シクロパラフェニレン(CPP)」の1種で、理論的に興味深い性質を示す可能性が予想されていたものの、その合成が困難で、これまで実現されていなかったベンゼン環を5個つなぎ合わせた[5]CPPの化学合成に世界で初めて成功したと発表した。

[15:58 2/5]

2014年02月04日(火)

近畿大、第3の状態である「準結晶」を形成する仕組みを発見

近畿大学は2月3日、スロベニア・リュブリャナ大学との共同研究により、結晶でも非晶質物質でもない第3の状態として知られる、「準結晶」を形成する仕組みを発見したと発表した。

[10:02 2/4]

2014年01月31日(金)

東工大、コバルト酸化物に光を照射し相転移現象のドミノ効果を可視化

東京工業大学(東工大)は1月30日、ペロブスカイト型コバルト酸化物(Pr0.5Ca0.5CoO3)に光を照射することで新しい磁性金属状態を創製するとともに、それがドミノ的に試料奥行き方向に伝播していく様子を可視化することに成功したと発表した。

[16:36 1/31]

テュフズードジャパン、EMV非接触型端末試験サービスを本格始動

第三者認証機関テュフズードジャパンは2014年1月30日、EMV非接触型端末アプリケーションが世界で初めて認定され、この認定試験を国内唯一のEMV試験所として実施したことを発表した。同社は、この試験実績を生かしてEMV非接触型端末試験サービスを本格化し、ICカード決済端末機器の開発メーカーに対して広範囲なサービスを提供していく予定という。

[09:58 1/31]

2014年01月30日(木)

理研など、従来の1/1000以下の電流密度でスキルミオン分子の駆動に成功

理化学研究所、東京大学、物質・材料研究機構(NIMS)の3者は1月28日、「1軸異方性を持つ強磁性体」である層状マンガン酸化物「La1+2xSr2-2xMn2O7」薄膜中に、「トポロジカルチャージ」を持つ電子スピン渦の結合状態「スキルミオン分子」を生成して可視化に成功すると同時に、強磁性体中の「磁壁」を駆動するのに必要とされる電流密度の1000分の1以下で、スキルミオン分子を駆動させたと共同で発表した。

[10:17 1/30]

2014年01月29日(水)

産総研、200mmウェハに実用レベルの圧電MEMSデバイスを作製する技術を開発

産業技術総合研究所(産総研)は1月28日、圧電薄膜であるチタン酸ジルコン酸鉛(Pb(Zr,Ti)O3:PZT)薄膜を用いた圧電MEMSデバイスの200mmウェハプロセス技術を開発したことを発表した。

[09:30 1/29]

東大、超伝導体へのスピン注入に成功 - スピン情報保持時間の増大を実証

東京大学は、超伝導体へのスピン注入に成功し、スピン情報保持時間が超伝導体に転移すると飛躍的に長くなることを実証したと発表した。

[08:30 1/29]

2014年01月28日(火)

東大など、印刷で作れる有機薄膜トランジスタ回路で個体識別信号伝送に成功

東京大学などのグループは1月27日、印刷で製造可能な高性能有機薄膜トランジスタ回路を開発し、13.56MHzの商用周波数にて個体識別信号の伝送に成功したと発表した。

[15:34 1/28]

名大など、ナノ多結晶体の磁気モーメントの定量的な測定に成功

名古屋大学は1月24日、「超高圧走査透過型電子顕微鏡」を利用し、独・ユーリッヒ研究所の薄膜作製グループによって提供された表面酸化膜のない鉄を用いて、そのナノ多結晶体の磁気モーメントの定量的な測定に成功したと発表した。

[11:41 1/28]

理研など、キラル磁性体中のスキルミオンが示す回転現象を発見

理化学研究所(理研)、東京大学、青山学院大学は1月27日、電子スピンの渦状構造体であるスキルミオンが格子状に配列されたスキルミオン結晶に、光や電子線を照射して同心円状の温度勾配を与えると、特定の方向に回転する現象を発見したと発表した。

[11:32 1/28]

2014年01月24日(金)

TASCなど、単層CNTと銅の複合材で銅の100倍電流を流せる微細配線加工に成功

単層CNT融合新材料研究開発機構(TASC)と産業技術総合研究所(産総研)は1月23日、単層カーボンナノチューブ(CNT)と銅の複合材料を用いて、銅の100倍の電流を流すことが可能な微細配線を基板上に作製する技術を開発したと発表した。

[14:57 1/24]

産総研、鉛フリーの高性能圧電セラミックスを開発 - 鉛系材料を代替に期待

産業技術総合研究所(産総研)は1月22日、人体や環境に有害な鉛を含まない高性能な圧電セラミックスを開発したと発表した。

[09:58 1/24]

2014年01月17日(金)

東北大、グラフェンデバイスで発現する多体効果のナノスケール制御に成功

東北大学は、グラフェンを用いたデバイスの動作時における、相対論的量子力学に起因して発現する多体効果のナノスケール制御に成功したと発表した。

[16:09 1/17]

阪大、金ナノ粒子に強い光を照射すると光の散乱効果が飽和することを発見

大阪大学(阪大)は、金ナノ粒子に高い強度の光を照射すると、光の散乱効果が飽和することを発見し、さらにその現象を光学顕微鏡の解像力を高めることに応用したと発表した。

[11:27 1/17]

2014年01月14日(火)

富士通研、従来比3倍の3000原子規模のナノデバイスシミュレーションに成功

富士通研究所は1月14日、スーパーコンピュータを利用して従来比3倍となる3000原子規模のナノデバイスにおける電気特性シミュレーションに成功したと発表した。

[14:49 1/14]

2014年01月09日(木)

産総研など、高出力と高Q値のナノコンタクト型スピントルク発振素子を開発

産業技術総合研究所(産総研)は1月8日、キヤノンアネルバ、大阪大学と共同で、高出力と高い振動安定性(高Q値)を併せ持ったナノコンタクト型スピントルク発振素子を開発したと発表した。

[13:45 1/9]

阪大、金属板を等間隔に並べただけでテラヘルツ帯の電磁波の偏光を制御

大阪大学(阪大)は、アイシン精機と共同で、金属板を等間隔に並べただけでテラヘルツ(THz)周波数帯の電磁波の偏光を制御する技術を開発したと発表した。

[10:22 1/9]

2014年01月07日(火)

東邦大学、「フラーレンC60」誘導体の新たな合成手法を開発

東邦大学は12月27日、「サッカーボール型分子 フラーレンC60」誘導体の新たな合成手法を開発したと発表した。今回の成果は、同大学院理学研究科 化学専攻の内山幸也氏と理学部化学科の森山広思教授によるもの。

[09:00 1/7]

バックナンバー

人気記事

一覧

イチオシ記事

新着記事