GLOBALFOUNDRIES(GF)は9月8日(米国時間)、同社のFD-SOIプロセスとして、従来の22nm(22FDX)に加えて、新たに12nm FD-SOI(12FDX)プロセスを立ち上げたことを発表した。

12FDXについて同社では、RF、アナログ、組み込みメモリ、ロジックを1チップに搭載するのみ最適なプラットフォームであり、次世代のモバイル機器や車載機器などで求められる低消費電力性と性能を実現できるものとなると説明している。

また、FinFETを用いた10nmプロセスの性能を、同じくFinFETを用いた16nmプロセスの消費電力と製造コストで提供できるとしており、具体的には、現在のFinFETプロセスに比べて15%を超す性能を発揮しつつ、50%の消費電力低減を実現できるとしている。

なお、12FDXはドイツのFab1にて製造に向けた取り組みが進められており、最初のテープアウトは2019年前半となる見込みであるという。