富士通セミコンダクター(FSL)および三重富士通セミコンダクターは8月31日、米Nantero社のカーボンナノチューブを利用した不揮発性メモリ「NRAM」のライセンスを受けるとともに、55nmテクノロジーでの商品化に向けて3社で共同開発することに合意したと発表した。

3社は、組み込み型Flashメモリ比で数千倍の書き換え耐性/書き換えスピードの実現と、将来的には不揮発性メモリによるDRAMの置き換えを目指し、「NRAM」の開発を進めている。

今後、富士通セミコンダクターは、2018年末までにNRAM混載カスタムLSIを商品化し、その後、単体NRAM製品にラインアップを広げていくとしている。また、ウェハーファウンドリである三重富士通セミコンダクターは、ファウンドリ顧客向けにNRAMベースのテクノロジーを提供する予定。