東芝、GaN-on-Si LED素子を採用した照明用白色LEDを発表

東芝は12月14日、200mmウェハ上にGaNを結晶成長させる「GaN-on-Si」LED素子を採用した照明用白色LED「TL1F1シリーズ(1W)」を発表した。

同製品に用いられるGaN-on-Si LED素子は、同社とBridgeluxが共同開発した素子で、現在一般的に使用されるサファイアウェハで形成したLED素子に比べ価格競争力があるという。

白色LEDのサイズは6.4mm×5.0mm×1.35mmで、標準光出力は112lm(350mA駆動時)となっている。

なお同製品は2012年12月下旬より量産出荷を開始し、量産規模は月産1000万個を予定している。