STMicroelectronicsは、同社の「STripFET VI DeepGATE」技術を採用したパワーMOSFET製品シリーズを拡張し、新たに9製品を追加したことを発表した。いずれもオートモーティブ・グレード「AEC-Q101」に対応しており、すでに量産出荷を開始している。単価は1,000個購入時に0.50ドル(高オン抵抗製品)～1.80ドル(低オン抵抗製品)となっている。

STMicroelectronicsの自動車向けパワーMOSFETのパッケージイメージ

9製品は、STripFET VI DeepGATE技術により、実効チップ・サイズに対して低い導通損失を実現しているほか、低いオン抵抗範囲(3.0m～12.5mΩ)が特徴で、基板占有スペースが小さい業界標準の表面実装型パワー・パッケージ(DPAKまたはD2PAK)で提供される。

また、ロジック・レベルと標準レベルの両タイプが含まれており、自動車向けの信頼性と堅牢性を確保するため、全製品にウェハ・レベルおよび完成品段階で、AEC-Q101認定に準拠する100%のアバランシェ試験を実施している。

ブレークダウン電圧は30Vおよび40Vで、定格電流は44A～80A、動作温度範囲は-55℃～+175℃となっている。