IBM、NECエレクトロニクス、東芝の3社は、民生機器向け28nmプロセスの技術開発を共同で行っていくことに合意したことを発表した。

すでにNECエレクトロニクスは2008年9月より、東芝は2007年12月より、IBMを中心としたテクノロジー・アライアンスに参加、High-K/メタルゲートを用いた32nmプロセスの開発を行ってきたが、今回の合意に伴い、新たにHigh-K/メタルゲートを用いた28nmの低消費電力バルクCMOSプロセスの技術開発を行うこととなる。

共同開発の場所は、これまでと同様、米ニューヨーク州イースト・フィッシュキルにあるIBMの300mmウェハ対応施設。同プロセスが開発されると、カスタマは、High-K/メタルゲートを用いた32nmプロセスの製品設計ならびに、わずかなデザイン変更のみで28nmプロセスに移行することが可能となるという。

なお、IBMのテクノロジー・アライアンスには、東芝、NECエレクトロニクスのほか、Charterd Semiconductor Manufacturing、GLOBALFOUDRIES、Infineon Technologies、Samsung Electronics、STMicroelectronicsが参加している。