三菱電機は8月31日、移動通信システム基地局の電力増幅器に使用される高周波デバイスの新製品「2.6GHz帯 第4世代移動通信システム基地局用 220W GaN HEMT」を発表した。

同製品は耐電圧に優れたGaNの採用とトランジスタ構造の最適化により、マクロセル基地局用として74%という業界トップクラスのドレイン効率を実現。高効率化により通信設備の冷却機能を簡略化でき、基地局の小型化・低消費電力化に寄与する。また、フランジレスパッケージの採用により取り付け面積を削減し、電力増幅器の小型化に貢献する。

サンプル価格(税別)は1万5000円で、11月1日よりサンプルの提供を開始する予定。