産業革新機構、米GaNパワー半導体ベンチャーに2,500万ドルの出資

産業革新機構(以下、INCJ)は10月1日、米国のGaNパワー半導体ベンチャーTransphormへ2,500万ドルを出資することを発表した。あわせて、INCJの既存投資先である日本インターもTransphormへ出資する。

INCJでは出資の背景として、GaNパワー半導体は、電力損失を大幅に低減し、省エネ・環境改善に貢献できることから、次世代パワーデバイスの一つと位置付けており、Transphormは競合他社に先駆け、GaNを使用した電力変換製品の製品化の実現・販売に着手しているためとしている。

同出資による日本インターとTransphormとの資本・業務提携への支援を通じて、INCJでは、Transphormの有する最先端GaNデバイス技術とノウハウと、日本インターの有する製品設計開発販売・量産技術・品質保証サポートにおける実績と信頼性の融合を推進していくという。