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筑波大、デバイスの電位変化をピコ秒の高時間分解能で計測する新手法を開発

(a)試料に用いられた光伝導アンテナデバイスの画像。GaAs基板上に金できたクシ型の陽極と陰極が配置されている。(b)陽極と陰極を同電位(Vb=0V)に置いて測定されたSEM画像。(c)Vb=3Vとして測定されたSEM画像。陰極から多くの信号が得られているため明るく見える(出所:筑波大プレスリリースPDF)

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