韓国SK hynixは3月10日、第6世代10nmプロセス（1c）を適用した「16Gb LPDDR6」メモリの開発に成功したと明らかにした。2025年1月に発表されたもので、今回開発の検証が完了したという内容。

  • SK hynix、1c DRAMプロセスでLPDDR6メモリの開発に成功 - LPDDR5X比で33%高速化、20%電力効率上昇

    SK hynix、1c DRAMプロセスでLPDDR6メモリの開発に成功 - LPDDR5X比で33%高速化、20%電力効率上昇

LPDDRメモリはLPDDR1、2、3、4、4X、5、5Xとシリーズが続いており、今回LPDDR6メモリの開発検証が完了したというもの。今年前半のうちに量産準備を整備するとしており、今年後半からは製品の供給を開始予定。LPDDR5X製品よりも性能・効率ともに強化されているとのことで、データ処理速度は33%、電力効率は20%も向上。基本動作速度は10.7 Gbps(10.7ギガビット毎秒)を超えている。

このLPDDR6メモリではDVFS(動的電圧および周波数スケーリング)設計が導入されており、サブチャネル構造が必要なデータ経路を選択で気に動作可能。AI推論やゲーム動作のような用途では最大帯域幅を活用しつつ、標準的な使用時には動作周波数と電圧を抑制して消費電力を削減できるという。