東芝デバイス&ストレージは、650V耐圧の新世代スーパージャンクション パワーMOSFET「DTMOS VI(ディーティーモス・シックス) シリーズ」を製品化した。
主な用途は、データセンターのサーバ電源や太陽光発電パワーコンディショナー、無停電電源装置などの産業機器用電源向けとなっている。
同シリーズは、従来シリーズ「DTMOS IV-H (ディーティーモス・フォー・エイチ)」と比べて、性能指数であるドレイン・ソース間オン抵抗×ゲート・ドレイン間電荷量(RDS(ON)×Qgd)の低減を実現し、スイッチング電源の高効率化に貢献できる。
シリーズ第一弾となる新製品「TK040N65Z」は、従来製品「TK62N60X」(DTMOS IV-Hシリーズ)と比べて、RDS(ON)×Qgdを約40%低減し、電源効率が約0.36%向上した。
TK040N65Zの量産、出荷は8月20日より開始した。同社では市場動向に合わせて、同シリーズのラインアップを拡充し、電源の高効率化の貢献していく方針。
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新世代スーパージャンクション パワーMOSFET「TK040N65Z」
