東芝メモリは6月28日、3次元フラッシュメモリの需要拡大を見こし、現在建設中の製造設備へ約1,800億円の投資を行うと決定した。これは同日行われた東芝の取締役会で承認されたもの。これにより、同製造棟に96積層プロセスを用いた3次元フラッシュメモリ固有の製造工程を担う装置を導入する予定だ。
同社は現在、3次元フラッシュメモリの生産拡大のため、四日市工場に第6製造棟を建設しており、2018年夏に第1期分が竣工する予定となっている。今回、エンタープライズ用サーバやデータセンター向けを中心に3次元フラッシュメモリの需要拡大が見込まれることから、これに対応すべく、総額1,800億円の投資を同社が2017年度中に実施することが、東芝の取締役会にて承認された。
これにより、第6製造棟第1期分の建設進捗に合わせ、第1期分の建屋内に96層積層プロセスを用いた3次元フラッシュメモリ固有の製造工程を担う、最先端の成膜装置やエッチング装置などを導入する予定だ。また、同棟第2期分の建屋については、2017年9月に起工し、2018年末に竣工する予定とのこと。
なお、第6製造棟に導入する生産設備に対する、米国サンディスク社による投資参加の有無については現在協議中だという。
