三菱電機は7月16日、家電製品の低消費電力化、小型化に寄与する入力実効電流20A、耐圧600Vのパワー半導体モジュール「超小型フルSiC DIPPFC」を発表した。

同製品は、トランジスタ部にSiC-MOSFET、ダイオード部にSiC-SBDを搭載し、電力損失を約45%低減して、家電製品のエネルギー変換効率を改善する。また、SiC-SBDの搭載により、リカバリ電流を削減し、低消費電力化とEMIノイズ低減を実現する。さらに、SiC-MOSFETの搭載により、最大40kHzの高周波スイッチングを実現し、リアクトルやヒートシンクなど周辺部品の小型化に寄与する。そして、PFC回路および駆動ICの内蔵により、実装面積の減少や配線パターンの簡略化など小型化に貢献する。

この他、「超小型DIPIPM」と同一パッケージを採用することにより、ヒートシンクの取り付けを簡素化した他、PFC回路をインターリーブ動作させることにより、電流リプルを低減し、ノイズフィルタ回路を簡素化している。

なお、サンプル価格は1万円(税別)。

家電製品向けパワー半導体モジュール「超小型フルSiC DIPPFC」