STMicroelectronicsとMemoir Systemsは、STの完全空乏型SOI(FD-SOI)技術を用いて製造されたASICおよびSoCの内蔵メモリ向けに、MemoirのAlgorithmic Memory Technologyを適用可能になったことを発表した。

これにより、FD-SOIの低消費電力性能とパフォーマンスを引き上げることが可能になるほか、FD-SOIの低ソフト・エラー率とリーク電流との組み合わせにより、ネットワーク、運輸、医療、航空宇宙プログラムなどの重要な役割を担うアプリケーションに対する付加価値の提案を可能にするとしている。