NXP、LDMOS RFパワートランジスタ「XR」ファミリの新製品を発表

NXP Semiconductorsは、LDMOS RFパワートランジスタ「XR」ファミリの新製品「BLF188XR」を発表した。

同製品は、実際の稼動状況における堅牢性を高め、これまで懸案とされてきた5dBコンプレッションでの電圧定在波比(VSWR)が65:1を超える場合の高レベルの不整合負荷に対応することができる。また、1600Wの卓越したピーク時出力を実現し、最高60Vでの動作が可能で、厳しい耐久テストにもパスしている。さらに、内蔵のESD保護を強化してC級の動作モードで使用できる他、複数の性能を強化して様々なアプリケーションのデザインインや調整が容易に行える。

もう1つの特長としては、線形性に優れ、高出力のリニアアプリケーション向け製品として可能性を持っている点だ。すでに発売されているBLF578XRシリーズが500MHzまでの周波数帯向けに推奨されるのに対し、同製品は300MHz以下の周波数帯の大規模な産業科学医療用(ISM)アプリケーションに最適化されているという。

なお、同製品はすでに一部企業向けにサンプル出荷中となっている。