ON Semiconductorは、高性能電力変換(HPPC)民生用機器および工業用アプリケーションをターゲットとしたIGBTのポートフォリオを拡張したことを発表した。
今回拡張された次世代IGBT製品「Field Stop II(FSII)」では、スイッチング特性を改善し、損失を最大30%低減して高効率を達成することが可能であるため、ケース温度の抑制が可能で、既存のデバイスと比較して最大20%下げることが可能だという。
FSII IGBTの最初のグループは、「NGTBxxN120IHRWG」と「NGTBxxN135IHRW」で、電流定格20A、30A、40Aで1200Vと1350Vのバージョンが用意されている。
15kHz～30kHzの中間周波数で動作する誘導加熱およびソフト・スイッチング・アプリケーション向けに最適化されたスイッチングおよび低導通損失を特長としているほか、高電流時の高耐久性と高いオン状態特性を備えており、システム要件に応じてより高い効率と低いシステム損失を達成するよう最適化されているため、電気ポット、炊飯器、電子レンジなどの誘導加熱に基づく電気製品おいて、高いシステム・レベル性能を提供するとしている。
なお、FSIIには、ソーラー・インバータ、無停電電源システム(UPS)、インバータ溶接アプリケーション向けに特別に設計された「NGTBxxN120FL2WG」および「NGTBxxN135FL2WG」ファミリも予定されており、これらの新型デバイスでは熱特性の改善が図られ、動作接合部温度範囲は-55～+175℃、電流定格はTO-247パッケージで最大100Aまで高くなっているという。
