Cypress Semiconductorは12月20日(米国時間)、2012年11月20日付で正式に合併したRamtron Internationalの強誘電体メモリ(F-RAM)製品を自社の製品群に統合し、高速書き込み不揮発性メモリとして提供していくことを発表した。同ラインアップの追加により、同社では自社の高速不揮発性SRAM(nvSRAM)の補完が可能となり、組み合わせて利用することで、電源が失われたときでもデータを保持する必要がある多種多様なアプリケーションの活用が可能になると説明している。

今回の発表により、Ramtron統合後も、Ramtronの製品がそのまま継続して販売されること、ならびに既存F-RAMユーザーのサポートが継続されることとなる。同社では、シリアルF-RAMメモリおよびそのペアとなるプロセッサの全製品を含む95%以上の量産製品について、今後も供給を継続するとしている。

F-RAMメモリのセルは、10兆サイクルの耐久性、高速シングルサイクルおよび対称形の読み取り書き込み速度、低消費電力、ガンマ線耐性、および電磁干渉回避の性質を備えている。また、nvSRAMは、同社の「S8 0.13μm SONOS組み込み不揮発性メモリ技術」により製造され、回数無制限の読み取り、書き込み、リコール、および20年間のデータ保存を特徴としている。

なお、RamtronのF-RAM製品ラインアップならびCypressのnvSRAM製品の日本国内での販売は、同社代理店であるマクニカ ブリリアント テクノロジー カンパニーならびに東京エレクトロン デバイスより提供される。