東京エレクトロン デバイス(TED)は11月22日、米Everspin Technologiesが64MビットSpin Torque Magnetoresistive RAM(ST-MRAM)の限定出荷を開始したことを発表した。

MRAMは次世代の不揮発性メモリの候補の1つとして注目されており、そのセルは、トランジスタ1つとMTJ(Magnetic Tunnel Junction)メモリセル1つから構成されるシンプルな構造を採用していることから、ギガビットクラスの集積化が期待されている。

今回、限定出荷が開始されたST-MRAMは、DDR3インタフェースを搭載し、IOごとの転送速度は1600MT/Sec、メモリバンド幅3.2GB/Secをサポート。

TEDでは、主にRAIDストレージやSSDのバッファメモリおよびキャッシュメモリへの採用を見込んでおり、今後は、より高速で大容量のST-MRAMや搭載ボードのリリースも予定いるとしている。

Everspinの64MビットST-MRAM