三菱電機、電力変換効率70%を実現したSi基板上のGaN増幅器を開発

三菱電機は、携帯電話に使用される2GHz帯のSi基板上の高出力・高効率GaN増幅器を開発したことを発表した。

同製品は、Si基板とGaN層の間に緩衝層を設け、GaNの結晶品質を改善したことで、トランジスタの性能を向上させたほか、増幅器回路の最適化により従来製品比12ポイント改善となるで電力変換効率70%を実現している。

また、これにより放熱機構の簡易化も可能となり、携帯電話基地局の小型化が可能となるほか、小型化により限られたスペースへの設置や設置工事の施工性の向上も可能になるという。

なお、同社では今後もさらなる高出力化、高効率化を目指した開発を行っていき、2013年度内の製品化を目指すとしている。