Rambusは2月8日(米国時間)、次世代の携帯機器向けメモリアーキテクチャ「モバイルXDR」を発表した。同アーキテクチャは、同社が2009年2月に発表したMobile Memory Initiative(MMI)の技術を応用することで、高バンド幅と低消費電力性能を兼ね備えることに成功したという。

同アーキテクチャによって構成される携帯機器向けメモリプラットフォームは、ピンあたり最大4.3Gbpsのスループットを実現可能なほか、SoCでは、単一のモバイルXDR DRAMデバイスから17GBpsを超すメモリ帯域幅を実現できるという。

また、ピン数の削減とインタフェースの小型化を実現することで、SoCデバイスのコストならびに消費電力の削減も可能となる。これにより、システム設計者は、メモリ・サブシステムの消費電力を抑えることができるようになり、高負荷のマルチメディア関連のアプリケーションを起動しても、バッテリ寿命を延長することが可能になるという。

今回用いられたMMIによる主な技術は以下のとおり。

  • Very Low-Swing Differential Signaling(VLSD):高バンド幅と高い電力効率を要求するアプリケーションに対して、高性能、低消費電力、高コスト・パフォーマンスを低振幅により実現する接地電圧に基準を置いた高速双方向差動伝送技術
  • FlexClockingアーキテクチャ:非対称的にSoCインタフェース側に要となるキャリブレーションおよびタイミング回路などを重点的に配置配分することで、DRAM側のインタフェース回路の簡素化を実現したメモリ・システム・アーキテクチャ
  • Advanced Power State Management(APSM):メモリ・システムの消費電力を最適化するため、アクティブ動作モードと複数の低消費電力モード間との切り替えを高速に実現する高度な電力状態遷移管理システム

なお、同アーキテクチャの主要コンポーネントには、モバイルXDR DRAM、モバイルXDRメモリコントローラPHY(MIO)、モバイルXDRメモリコントローラ(MXC)が含まれており、すでにライセンス供与が開始されている。