Samsung Electronicsは、厚さ0.6mmのパッケージで32GBの容量を実現したNAND型フラッシュメモリのマルチ・ダイ・パッケージを開発したことを明らかにした。

開発された厚さ0.6mmながらNAND型フラッシュメモリを8枚積層して32GBを実現したパッケージ

同容量は3Xnmプロセス世代で製造された32GビットのNAND型フラッシュメモリのダイを8枚積層したもの。メモリの容量増大方法としてチップ積層はよく使用される方法であるが、ウェハを削って厚さを減らさないとパッケージが厚くなってしまう問題があった。また厚さとして30μm以下になると、強度的な問題から歩留まりの悪化が問題視されていたが、同社では新たに開発した技術により、1チップあたりの厚さを15μmまで薄くしても取り回しが可能となったとしている。

また、同パッケージ技術は、他のMCP(マルチ・チップ・パッケージ)技術やSiP、PoPといったパッケージ技術と組み合わせることが可能としており、今後、省スペースながら大容量メモリが要求される携帯機器市場に向けた有力なソリューションになるとしている。