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- 5月16日掲載記事に関するお詫び
Ge
| 産総研、高性能歪みゲルマニウムナノワイヤトランジスタを開発 [16:17 6/12] |
| 産総研、室温で次世代半導体材料中への磁性体のスピン情報の入力に成功 [08:26 5/9] |
| 都市大、室温で高効率発光が可能なGe量子ドットベース発光デバイスを開発 [18:15 4/25] |
| 九大、寄生抵抗を低減したGe-CMOSの実現に向けた技術を開発 [08:00 11/10] |
| 産総研など、ポストシリコン世代向け高品質Geプラットフォーム基板を実現 [11:16 9/29] |
| 東工大、ゲルマニウム酸化物の透明電子伝導体を実現 [08:00 9/15] |
| 産総研ら、次世代の高性能III-V/Ge CMOSトランジスタを開発 [05:00 6/20] |
| IEDM 2010 - 東大ら、高移動度のGe電界効果トランジスタを開発 [19:15 12/10] |
| 東大、世界最高クラスの移動度を実現したGeトランジスタを開発 [17:32 6/21] |
| 東京都市大学、Ge量子ドットを活用した高効率室温発光デバイスを開発 [16:03 5/26] |
| SRCとIMEC、世界の半導体産業のグリーン製造を推進する覚書を締結 [21:43 2/17] |
| Intel、Siを用いたAPDを開発 - 340GHzのGB積を実現 [18:59 12/8] |
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