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| 日立、半導体材料に注入した電子のスピン流の制御・観測に成功 [17:29 12/24] |
| 三菱電機、W-CDMA方式PCデータ通信端末用GaAs送信電力増幅器を発売 [15:57 12/20] |
| ルネサス、20GHz帯でNF0.65dBを実現したGaAsヘテロ接合型FETを発表 [15:52 12/16] |
| 東北大ら、Inを含む半導体の超高感度NMR測定に成功 [18:33 12/10] |
| ルネサスの化合物デバイス事業、パワーFETでGaNデバイスに参入へ [19:09 10/8] |
| 東北大ら、損傷のないGaAs量子ドットの形成に成功 [05:00 9/22] |
| Freescale、GaAs MMIC市場に参入 - 基地局装置向けに4製品を投入 [14:16 5/18] |
| 三菱電機、W-CDMA方式の3周波数帯に対応した送信電力増幅器を発表 [21:13 4/15] |
| 理研、磁性の違う2種の人工原子でスピン依存の電子の透過・捕獲に成功 [20:43 4/1] |
| 【連載】カーエレクトロニクスの進化と未来 第18回 エンタメ系半導体でシェアをじわじわ獲得 - NXPがソフトウェア無線を推進 [06:00 3/17] |
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| 産総研ら、GaAs半導体人工分子の量子状態を電気的に計測する方法を開発 [20:39 7/24] |
| 富士通研、X帯で効率50%超の100W級増幅器を開発 - C帯向けも出力343Wを達成 [16:30 6/12] |