| JAXA、液体シリコン中に残存する共有結合を観察 -大口径ウェハの実現に期待 [20:11 2/10] |
| 九大、寄生抵抗を低減したGe-CMOSの実現に向けた技術を開発 [08:00 11/10] |
| 東北大、Si基板上へに成長させたグラフェンによるトランジスタ集積化を実現 [07:00 11/9] |
| 11年のシリコンウェハ出荷面積は横ばい、12、13年は増加 - SEMI予測 [17:51 10/13] |
| コバレントマテリアル、Siウェハ事業を台湾SASに譲渡 [14:10 8/11] |
| 東大、無機材料ウェハにおける常温接合の新手法を開発 [14:40 5/31] |
| SEMI、2011年第1四半期のシリコンウェハ出荷面積を発表 [14:12 5/12] |
| JAISTら、液体シリコンを用いた塗布プロセスによる太陽電池の作製に成功 [07:00 2/10] |
| SEMI、2010年のSiウェハの出荷面積を発表 - 前年比40%増の過去最高値を記録 [19:18 2/9] |
| IEDM 2010 - 東大ら、高移動度のGe電界効果トランジスタを開発 [19:15 12/10] |
| IEDM 2010 - パナソニック、Si基板GaNトランジスタの耐圧向上技術を開発 [17:26 12/8] |
| 東北大、らせん形状のSiマイクロチューブを開発 [18:40 4/22] |
| SEMI、2009年の半導体材料出荷額を発表 - 総額は前年比18.5%減の346億ドル [15:53 3/19] |
| IEDM 2009 - 東芝、20nm世代LSI向けに新構造バルクCMOS技術を開発 [18:05 12/9] |
| 三洋、HIT太陽電池用Siインゴット/ウェハ工場が米国で稼働 [06:30 11/6] |
| SEMI、2010年の半導体向けSiウェハの出荷面積が前年比23%になると予測 [07:00 10/15] |
| 東北大、STM-ESRによりスピン1個の位置決定と化学分析を実現 [19:28 8/11] |
| 日立、高温環境向け鉛フリー接合技術を開発 - 500℃超の耐熱温度を実現 [07:00 7/6] |
| 【連載】カーエレクトロニクスの進化と未来 第12回 より大容量のリチウムイオン電池開発を極秘に進める自動車メーカー [08:00 6/3] |
| 【連載】カーエレクトロニクスの進化と未来 第11回 電気自動車のエンジンはずばりリチウムイオン電池だが、充電方法にも大革命 [07:00 5/13] |
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