昭和電工は、パワー半導体モジュールのゲートドライバ用フォトカプラーやIoT関連各種センサ用に用いられる赤外LEDチップの製品ラインアップを拡充したと発表した。 同社の赤外LEDチップは、LPE法(Liquid Phase Epitaxy)の標準型LED、MOCVD法(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)の透過型および反射型LEDの3種類で展開している。

反射型LEDは、発光層の下にミラー層を形成し、光を真上方向に反射させることで発光出力を高めたLEDチップで、従来より産業機器用光電センサなどに採用されていたが、今回、同技術を発展させ、「ダブルジャンクション反射型LED」「P-アップ反射型LED」の2製品を追加した。

昭和電工の赤外LEDチップ構造:配光特性、出力数の異なる3構造で展開している

ダブルジャンクション反射型LEDは、発光層を2層にしたチップで、従来の反射型LEDチップの2倍近い出力を実現した。生体認証や監視カメラ、バーチャルリアリティ、車載センサなど高出力が求められる用途に適している。

P-アップ反射型LEDは、反射型LEDで主流のN-アップ構造と極性を逆にした製品。赤外LEDチップで広く用いられているLPE法ではP-アップ型が主流であり、同じ回路設計で高出力モジュールを開発したいという顧客のニーズに応えたものであるということだ。

LED製品ラインアップ:青色を除くすべての波長を揃えている