TowerJazzとTPSCo、最大200V対応180nm BCD SOIパワマネプロセスを発表

TowerJazzとパナソニック・タワージャズ セミコンダクター(TPSCo)は3月27日、最大200Vまでの破壊電圧を保障する、180nm Bipolar-CMOS-DMOS(BCD)パワーマネジメント(パワマネ)テクノロジーSOIプラットフォームの提供を開始したと発表した。

ディープトレンチ分離および埋め込み酸化膜を特徴とした同プロセスは、TowerJazzの180nmバルクBCDプラットフォームをベースとして開発されているため、プラットフォームの互換性がある。そのため、カスタマは、従来のバルクプロセス向けに設計された素子を同プロセスに再利用することが可能であり、200Vまでデバイスの適用範囲を拡大しつつ、信頼性の高い商品を早期投入することを可能とすると同社では説明している。

なおTowerJazzでは、同プロセスは単なる高電圧側への電圧範囲拡大にとどまらず、高温時のESD/EMC、ラッチアップ、ノイズ、負電圧駆動、リーク電流に対しての高耐量、および逆回復特性高速化による高速スイッチング性能も提供できることから、市場成長が期待される自動車および産業用パワーマネジメントIC市場におけるさまざまなアプリケーションに対応できる技術と説明している。