ST、フライバックコンバータの高電力/効率向け900V耐圧パワーMOSFETを発表

STMicroelectronicsは、100mΩ未満のオン抵抗(RDS(ON))を実現し、高いバス電圧を必要とするシステムにおいて、余裕を持った安全マージンを提供する900V耐圧パワーMOSFET(スーパー・ジャンクション型)「MDmesh K5」を発表した。

同製品は、優れたオン抵抗に加え、低いゲート電荷量(Qg)により、広範囲の入力電圧レンジが必要な場合に、柔軟な高速スイッチングが可能になるため、35Wから230W以上までの出力定格をカバーする標準的な回路または疑似共振型、アクティブ・クランプ設計などのフライバック・コンバータの全方式において、高い効率と信頼性を提供することを可能とするという。

なお、MDmesh K5には、各種定格電圧(800V、850V、900V、950V、1050V、1200V、1500V)の製品が用意されているほか、多様なパッケージ(TO-220AB、TO-220FP、TO-247、TO-247長リード、IPAK/I2PAK、D2PAK/DPAKなどの表面実装型パワー・パッケージ)も用意されており、高耐圧パワーMOSFETとして包括的なポートフォリオが構築されているという。

900V耐圧パワーMOSFET「MDmesh K5」のパッケージイメージ

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