日立ハイテクとPicosun、マイクロ波ECRプラズマを用いたALDを共同で開発

日立ハイテクノロジーズとフィンランドPicosunは1月30日、プラズマを利用した原子層堆積(Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition:PE-ALD)装置を共同で開発を進めていることを明らかにした。

半導体の進化に併せて製造プロセスも進化しており、ALDの活用も進んでいる。しかし、従来のALDプロセスは、膜質劣化の懸念から成膜工程の低温化が制限されるという課題があった。今回、両社が開発を進めるマイクロ波ECR(Electron Cyclotron Resonance)プラズマを用いたALD技術を用いたPE-ALDは、プラズマによる成膜反応を促進させ、既存のPE-ALD装置よりも低温で高品質な膜を生成することを可能にしようというもの。現在、複数の膜種について評価中で、窒化膜や酸化膜などの膜については、300mmウェハを用いて高品質な膜質を形成できることを確認済みだという。

なお、両社では同技術/装置について、今後の多機能化・微細化・三次元構造化・薄膜化に対する有力なソリューションとなるとコメントしている。

Hitachi High-Technologies and Picosun Oy launch a collaboration in Plasma-enhanced ALD

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