Qualcommは17日(米国時間)、モバイル向けプロセッサの次期ハイエンドモデル「Snapdragon 835」をSamsungの10nm FinFETプロセスで製造すると発表した。

Samsungは2016年10月に10nm FinFETプロセスでのSoC量産を発表していた。10nm FinFETでは、前世代の14nm FinFETと比べて、最大30%の面積効率、27%の性能向上、最大40%の消費電力低減を実現。バッテリ寿命の大幅な向上が期待できるという。

また、より小さなフットプリントでチップを提供することで、基板の実装面積も削減。空いたスペース活用し、より大容量のバッテリを搭載したり、スリムな筐体デザインが可能になるという。Snapdragon 835を搭載したデバイスは、2017年前半に登場を予定している。

なお、Qualcommは、Snapdragon 835向けに新たな急速充電技術「Quick Charge 4」を提供すると発表。従来のQuick Chargeと比較して、充電時間の短縮と充電効率が向上したという。