Qualcommは17日(米国時間)、同社製プロセッサ「Snapdragon」向けの急速充電技術「Quick Charge」の最新版「Quick Charge 4」を発表した。2017年に搭載製品の投入を予定する「Snapdragon 835」で対応する。
Quick Charge 4は、従来よりも充電時間の短縮と効率が向上。Dual Charge技術を新たに採用することで、前世代のQuick Charge 3.0と比較して、最大で20%高速かつ、30%高い効率で充電が可能なほか、0から50%まで15分で充電できるという。Qualcommによると、5分間の充電で5時間以上の駆動を実現するとしている。
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Quick Charge 4では、独自の電源管理アルゴリズムINOV(Intelligent Negotiation for Optimum Voltage)技術も第3世代に進化。リアルタイムでデバイスの温度に合わせて、電力転送レベルを最適化する。また、USB Type-CとUSB PDをサポート。1つのアクセサリで、複数の充電技術やデバイスに対応できるという。
このほか、Qualcommは、Quick Charge 4に向けて、電源管理IC(PMIC)「SMB1380」「SMB1381」も発表した。こちらは2016年末までに出荷する。
