東芝は7月27日、3次元NANDフラッシュメモリ(3D NAND)「BiCS FLASH」の64層積層プロセスを開発し、サンプル出荷を開始したと発表した。

同製品は256Gビット(32GB)の3ビット/セル(TLC)で、データセンター向けエンタープライズSSDやPC向けSSD、スマートフォン、タブレット、メモリカードなどを中心に市場のニーズに合わせて展開していく計画。量産は2017年前半の量産開始を予定しているという。

回路技術やプロセスの最適化を図ることで、チップサイズの小型化を実現。これにより1枚あたりのウェハからの取れ数を増やすことを可能としており、ビットあたりのコスト削減を実現したとする。

なお、同製品は2016年7月に竣工した同社の四日市工場 新・第2製造棟にて製造される予定のほか、今後、64層積層プロセスを用いた512Gビット(64GB)品の製品化も進めていく計画だとしている。

64層積層プロセスを用いた東芝の3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH」のチップ外観