三菱電機、第7世代IGBT搭載のパワー半導体モジュールを発表

三菱電機は4月13日、産業用機器の低消費電力化・小型化・高信頼性を実現するパワー半導体モジュールの新製品として、第7世代IGBTを搭載した「IPM G1シリーズ」のサンプル提供を5月から順次開始すると発表した。6種類52品種をラインアップすることで、幅広い用途の産業機器に対応する。

同製品は、キャリア蓄積効果を利用する同社独自のCSTBT構造を採用した第7世代IGBTの搭載により、電力損失とノイズを低減しているほか、新開発の裏面拡散層形成技術を用いたRFCダイオードの搭載により、電力損失を低減するとともにリカバリー時の急な電圧の立ち上がりを抑制している。

また、主端子形状の最適化により外形サイズを従来製品比で約30%縮小したほか、絶縁部と銅ベース部が一体化した基板の採用により、サーマルサイクル寿命の向上を実現している。

さらに、加熱(OT)、制御電源電圧低下(UV)、短絡(SC)のエラーモードを識別できるエラーモード(Fo)識別機能や、使用条件に応じてスイッチング速度を自動的に2段階で切り替える機能を搭載した。

なお、同製品は4月20日～22日まで幕張メッセで開催される「TECHNO-FRONTIER 2016 第34回モータ技術展」に出展される予定。