ST、スーパージャンクション技術「MDmesh DM2」採用のパワーMOSFETを発表

周藤瞳美  [2016/03/11]

STマイクロエレクトロニクス(ST)は3月11日、同社のスーパージャンクション技術「MDmesh DM2」を採用したパワーMOSFET(Nチャネル)ファミリを発表した。

同ファミリは、ファストリカバリダイオードを内蔵し、最大650Vのブレークダウン電圧に対応するスーパージャンクション型の幅広い製品から構成されており、低ゲート電荷、入力静電容量および抵抗、内蔵ファストリカバリダイオードの低い逆回復電荷および逆回復時間、ソフトスイッチ性能などといった多様な技術特性を組み合わせている。

同パワーMOFSETは現在入手可能で、各種パッケージ/ブレークダウン電圧を選択することが可能となっている。



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