ラピスセミコンダクタ(ラピス)は2月2日、シリアルバス搭載64Kビット強誘電体メモリ(FeRAM)「MR44V064B/MR45V064B」を開発したと発表した。
同社は2011年よりFeRAMシリーズを展開してきたが、同製品は、ロームのローパワー対応の強誘電体搭載プロセス技術と、低電圧下でのメモリ選択トランジスタのゲート電位を確保することにより、最低動作電圧1.8Vを実現しており、ニッケル水素充電池2個でもFeRAMを使用できる。たとえば、単4の充電池2個で1秒ごとに1回64Kビットのデータを書き換え続けても約11年動作が可能。
また、データを記憶させる強誘電体キャパシタの選択時のセレクタの負荷を軽減することで超高速アクセスを実現。I2Cでは、動作周波数3.4MHzのHs-modeをサポート。SPIでも最大動作周波数40MHzに対応し、FeRAMの長所である高速データ書き換えの特徴を強化した。これにより、64Kビットのデータ書き換時間を1.64m秒で実行できる。
同製品は2016年1月より量産出荷が開始されており、サンプル価格は1個あたり500円(税別)。生産拠点は、前工程が京都市のローム本社工場、後工程がフィリピンのROHM Electronics Philippinesとなっている。
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強誘電体メモリ「MR44V064B/MR45V064B」 |
